場效應管



  • 金屬氧化物半導體場效應管之參數萃取系統及方法

    公告號:200625138 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號

    1.一種金屬氧化物半導體場效應管之參數萃取系統,其可自動萃取金屬氧化物半導體場效應管之參數,並計算出其寄生電阻的溫度係數,該系統包括一電腦主機、至少一顯示裝置及輸入裝置,其改良在於,該電腦主機包括:一極性選擇模組,用於選擇金屬氧化物半導體場效應管之極性;一數值接收模組,用於接收用戶輸入的數值;一數目

  • 場效應管偏壓電路

    公告號:200638174 - 閻躍軍 YAN, YUEJUN 中國大陸

    1.一種場效應管偏壓電路,包括:一具有電源之電流變動資訊電路;一與該電流變動資訊電路信號輸出端連接之電阻,該電阻另一端接於一基準電壓源,且該電阻與該電流變動資訊電路之連接點作為提供電壓變動資訊之輸出端;以及一至少接有一電壓源之分壓迴路,其連接於提供電壓變動資訊之輸出端;藉由將該輸出端之電壓變動資訊提

  • 奈米管金屬氧化物半導體場效應管技術與裝置

    公告號:201025611 - 萬國半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. 美國 US

    1.一種半導體功率裝置,包含一個帶有數個從頂面開口的溝槽的半導體襯底;其特徵在於, 每個所述的溝槽用多個具有交替導電類型的外延層填充,該交替導電類型的外延層沿側壁方向延伸,堆積成層狀,構成奈米管用作傳導通道,在每個所述的溝槽的大約中心處由一縫隙填充物填充所述的奈米管之間的一合併縫隙。 2.如申請專利

  • 基於底部-源極金屬氧化物半導體場效應管的真實晶片級封裝功率金屬氧化物半導體場效應管

    公告號:201025610 - 萬國半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. 美國 US

    1.一種半導體晶片級封裝,其特徵在於,包含: 一個半導體襯底; 一個半導體器件包含一個分立的金屬氧化物半導體場效應管,具有多個形成在該半導體襯底一有源區中的單元; 一個設置在全部單元共用的襯底底部的源極區域,其中每個單元都包含: 一個設置在半導體器件頂部的漏極區域; 一個柵極,用於當柵極外加電壓時,

  • 帶有減小的擊穿電壓的金屬氧化物半導體場效應管裝置

    公告號:201025609 - 萬國半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. 美國 US

    1.一種半導體裝置,其特徵在於,包含一個漏極、一個覆蓋在漏極上的外延層、一個有源區; 所述有源區包含: 一個沉積在外延層中的主體、 一個嵌入主體內的源極、 一個延伸進外延層的柵極溝道、 一個沉積在柵極溝道中的柵極、 一個沿源極和至少一部分主體延伸的接觸溝道、 一個沉積在接觸溝道中的接觸電極、 一個沉

  • 具有單掩膜預定柵極溝槽和觸點溝槽的高密度溝槽金屬氧化物半導體場效應管

    公告號:201029058 - 萬國半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. 美國 US

    1.一種在溝槽金屬氧化物半導體場效應管裝置中製備垂直柵極和柵極觸點的方法,其特徵在於,包含以下步驟: a)在帶有有源單元的半導體襯底表面上,形成一個硬掩膜層; b)在硬掩膜層上塗敷溝槽掩膜,其中溝槽掩膜在有源單元上定義出本體觸點溝槽和柵極溝槽; c)在半導體襯底中,按照第一預定深度,同時刻蝕本體觸點

  • 底部漏極橫向雙擴散金屬氧化物半導體功率金屬氧化物半導體場效應管的結構及製備方法

    公告號:201101491 - 萬國半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. 美國 US

    1.一種半導體裝置,其特徵在於,包括: 一個用作漏極的半導體襯底; 一個位於半導體襯底上的半導體外延層; 一個設置在外延層頂面上的漂流區; 一個位於漂流層頂面上的源極區; 一個位於源極區和漂流區之間的半導體外延層表面附近的溝道區; 一個位於溝道區頂部的柵極介電層上方的導電柵極; 一個位於漂流層和外延

  • 用於控制耦合了同步整流逆向變換器的變壓器的次級場效應管的電路和方法

    公告號:201110517 - 萬國半導體股份有限公司 ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED 美國 US

    1.一種用於控制耦合了同步整流逆向變換器的變壓器TCSC的次級場效應管控制電路,具有一個初級電路和一個次級電路,以及耦合在所述初級電路和所述次級電路之間的變壓器,所述初級電路具有一個初級變壓器線圈PTC耦合一個初級轉換網路PSN,所述的初級轉換網路PSN通過其內置初級轉換場效應管FET pm 轉換,

  • 遮罩柵極溝道金屬氧化物半導體場效應管裝置及其製備方法

    公告號:201133844 - 萬國半導體股份有限公司 ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED 美國 US

    1.一種半導體裝置,包括: 一個襯底; 一個在襯底中的有源柵極溝道;以及 一個在襯底中的不對稱溝道;其中: 不對稱溝道具有第一個溝道壁和第二個溝道壁; 第一個溝道壁內襯具有第一厚度的氧化物;以及 第二個溝道壁內襯具有第二厚度的氧化物,不同於第一厚度。 2.如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置,其特徵

  • 垂直互補場效應管

    公告號:201246455 - 無錫維賽半導體有限公司 中國大陸 CN

    1.一種垂直互補場效應管,包括至少兩個MOS單元,其特徵在於:包括有一襯底層和一設於襯底層上的中間層,在該中間層與一個MOS單元對應處係嵌有井區,該襯底層的PN極性與中間層相反,與井區相同,前述的每個MOS單元包括一對PN同性電極和一個柵極,兩個MOS單元的電極PN極性相反,其中一對電極設於中間層上

  • 金屬氧化物半導體場效應管之參數萃取系統及方法

    公告號:I258094 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號

    1.一種金屬氧化物半導體場效應管之參數萃取系統,其可自動萃取金屬氧化物半導體場效應管之參數,並計算出其寄生電阻的溫度係數,該系統包括一電腦主機、至少一顯示裝置及輸入裝置,其改良在於,該電腦主機包括: 一極性選擇模組,用於選擇金屬氧化物半導體場效應管之極性; 一數値接收模組,用於接收用戶輸入的數値;

  • 場效應管偏壓電路

    公告號:I265400 - 閻躍軍 YAN, YUEJUN 中國大陸

    1.一種場效應管偏壓電路,包括: 一具有電源之電流變動資訊電路; 一與該電流變動資訊電路信號輸出端連接之電阻,該電阻另一端接於一基準電壓源,且該電阻與該電流變動資訊電路之連接點作為提供電壓變動資訊之輸出端;以及 一至少接有一電壓源之分壓迴路,其連接於提供電壓變動資訊之輸出端; 其中,該分壓迴路之輸出

  • 基於底部-源極金屬氧化物半導體場效應管的真實晶片級封裝功率金屬氧化物半導體場效應管及其製造方法

    公告號:I401800 - 萬國半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. 美國 US

    1.一種半導體晶片級封裝,其特徵在於,包含:一個半導體襯底;一個半導體器件包含一個分立的金屬氧化物半導體場效應管,具有多個形成在該半導體襯底一有源區中的單元;一個設置在全部單元共用的襯底底部的源極區域,其中每個單元都包含:一個設置在半導體器件頂部的漏極區域;一個柵極,用於當柵極外加電壓時,控制源極區

  • 帶有減小的擊穿電壓的金屬氧化物半導體場效應管裝置

    公告號:I441336 - 萬國半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. 美國 US

    1.一種半導體裝置,其特徵在於,包含一個汲極、一個覆蓋在汲極上的磊晶層、一個主動區;所述主動區包含:一個沉積在磊晶層中的主體、一個嵌入主體內的源極、一個延伸進磊晶層的閘極溝道、一個沉積在閘極溝道中的閘極、一個沿源極和至少一部分主體延伸的接觸溝道、一個沉積在接觸溝道中的接觸電極、一個沉積在接觸溝道下面

  • 底部漏極橫向雙擴散金屬氧化物半導體功率金屬氧化物半導體場效應管的結構及製備方法

    公告號:I445172 - 萬國半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. 美國 US

    1.一種半導體器件,其特徵在於,包括:一個用作漏極的半導體襯底;一個位於半導體襯底上的半導體外延層;一個設置在外延層頂面上的漂流區;一個位於漂流區頂面上的源極區;一個位於源極區和漂流區之間的半導體外延層表面附近的溝道區;一個位於溝道區頂部的柵極介電層上方的導電柵極;一個位於漂流區和外延層中的漏極接觸