垂直成長對準之碳奈米管
申請人· 大華學校財團法人大華科技大學 TA HWA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 新竹縣芎林鄉大華路1號 TW


專利信息

專利名稱 垂直成長對準之碳奈米管
公告號 M508545
公告日 2015/09/11
證書號 M508545
申請號 2014/10/31
國際專利分類號
公報卷期 42-26
發明人 趙中興 CHAO, CHUNG HSING; 謝振中 SHIEH, JENN JONG
申請人 大華學校財團法人大華科技大學 TA HWA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 新竹縣芎林鄉大華路1號 TW
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優先權
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專利摘要

垂直成長對準之碳奈米管簡圖

本創作公開了一種垂直成長對準之碳奈米管。垂直成長對準之碳奈米管包括:一基底,具有一金屬表面;一奈米管生長催化劑層,於該金屬表面沉積一金屬鋁層並經陽極處理形成複數個氧化鋁奈米孔洞;以及複數個碳奈米管,基於一觸媒化學氣相沉積一二甲苯和一二茂鐵於該複數個氧化鋁奈米孔洞,其中,該複數個碳奈米管成長方向大致垂直對準該金屬表面。


專利範圍

1.一種垂直成長對準之碳奈米管,包括:一基底,具有一金屬表面;一奈米管生長催化劑層,於該金屬表面沉積一金屬鋁層並經陽極處理形成複數個氧化鋁奈米孔洞;以及複數個碳奈米管,基於一觸媒化學氣相沉積一二甲苯和一二茂鐵於該複數個氧化鋁奈米孔洞,其中,該複數個碳奈米管成長方向大致垂直對準該金屬表面。
2.如申請專利範圍第1項之碳奈米管,其中,該複數個碳奈米管包括:一單壁碳奈米管、一多壁碳奈米管或一碳奈米纖維。
3.如申請專利範圍第1項之碳奈米管,其中,該奈米管生長催化劑包括鐵、鈷、鎳原子。
4.如申請專利範圍第1項之碳奈米管,其中,該金屬表面包括:鎳,鉻和鐵之固相混合物或合金。
5.如申請專利範圍第1項之碳奈米管,其中,該二甲苯和該二茂鐵沉積於該複數個氧化鋁奈米孔洞之底部。
6.如申請專利範圍第1項之碳奈米管,進一步包括,利用一蝕刻溶解該複數個氧化鋁奈米孔洞。


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