防止跨越電壓域之靜電放電失效 PREVENTING ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) FAILURES ACROSS VOLTAGE DOMAINS
申請人· 賽諾西斯公司 SYNOPSYS, INC. 美國 US


專利信息

專利名稱 防止跨越電壓域之靜電放電失效
公告號 I517347
公告日 2016/01/11
證書號 I517347
申請號 2013/05/21
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 雷佛特 羅伯特B LEFFERTS, ROBERT B.; 德 容 彼得C DE JONG, PETER C.; 德 容格 羅蘭G DE JONGE, ROLAND G.
申請人 賽諾西斯公司 SYNOPSYS, INC. 美國 US
代理人 陳長文
優先權 美國 13/477,971 20120522
參考文獻 US7692907B2; H. Chen, et. al, “A CMOS Standard cell library for the PC-based LASI layout system”, Circuit and System, 1998, Proceedings, Midwest Symposium, pages, 292-295.
審查人員 陳志遠

專利摘要

本發明揭示一種靜電放電(ESD)裝置,其實施在一電力域中內以減輕自另一電力域賦予之ESD事件用於減少積體電路(IC)失效。一第一電力域包含其中接收ESD事件之一介面及可對其他組件賦予ESD事件電壓之一輸出。一第二電力域包含耦合至該第一電力域之該輸出之一ESD裝置及一受保護IC。在一實施例中,該ESD裝置包含一浮動裝置,該浮動裝置具有耦合至該介面輸出之一輸入端子。藉由在該第二電力域中浮動接收該ESD事件之該裝置,減少損害性ESD引發之電壓。該ESD裝置之實施例可使用標準單元庫實施以簡化整合。


專利範圍

1.一種靜電放電(ESD)裝置,其包括:一第一標準單元組件,其耦合至一第一電力域之第一電壓軌,該第一標準單元組件包括:一第一電晶體及一第二電晶體,一浮動裝置,其串聯耦合於該第一電晶體及該第二電晶體之間,一第一輸入端子,其將該浮動裝置之一閘極端子可操作地耦合至一組件之一輸出端子,該組件耦合至一第二電力域之第二電壓軌,及一第二輸入端子,其耦合至該第一電晶體及該第二電晶體之閘極端子;及一第二標準單元組件,其耦合至該第一電力域之該等第一電壓軌且包括耦合至該第二輸入端子之該第二標準單元組件之一輸出端子以回應於耦合至該第二電壓軌之該組件之該輸出處之一電壓變化而實現該浮動裝置之汲極電壓或源極電壓之變化。 2.如請求項1之ESD裝置,其中該浮動裝置之該汲極電壓及該源極電壓之至少一者回應於耦合至該第二電壓軌之該組件之該輸出處之一電壓增大而增大。 3.如請求項1之ESD裝置,其中該浮動裝置之該汲極電壓及該源極電壓之至少一者回應於耦合至該第二電壓軌之該組件之該輸出處之一電壓減小而減小。 4.如請求項1之ESD裝置,其中該第一標準單元組件進一步包括將該浮動裝置耦合至該第二標準單元組件之該輸出端子之一第三輸入端子。 5.如請求項1之ESD裝置,其中該第一標準單元組件及該第二標準單元組件在該ESD裝置之一設計階段期間藉由從一標準單元庫擷取資訊而例示。 6.如請求項1之ESD裝置,其中耦合至該等第二電壓軌之該組件經由一第二電壓軌接收一ESD事件並導致該第一標準單元組件之該浮動裝置之該閘極端子處之一電壓變化,該浮動裝置之該汲極電壓或該源極電壓增大或減小以減小該浮動裝置之該閘極端子與一汲極端子或一源極端子之間之一電位差。 7.如請求項1之ESD裝置,其中該第一標準單元組件係具有至少三個輸入端子的一NAND邏輯。 8.如請求項1之ESD裝置,其中該第一電晶體具有耦合至該第一標準單元組件之一輸出端子之一汲極端子及耦合至該浮動裝置之一汲極端子之一源極端子,且其中該第二電晶體具有耦合至該浮動裝置之一源極端子之一汲極端子及耦合至該等第一電壓軌之一負電源之一源極端子。 9.如請求項1之ESD裝置,其中該第二標準單元組件進一步包括:一p型金屬氧化物半導體場效電晶體(pMOS),其具有一閘極端子、耦合至該第二標準單元組件之該輸出端子之一汲極端子及耦合至該等第一電壓軌之一正電源軌之一源極端子;及一n型金屬氧化物半導體


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