半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置及其製造方法
公告號 I517397
公告日 2016/01/11
證書號 I517397
申請號 2013/04/02
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 多恩柏斯 嘉本 DOORNBOS, GERBEN; 布渥卡 克里希納 庫馬 BHUWALKA, KRISHNA KUMAR; 派斯雷克 麥西亞斯 PASSLACK, MATTHIAS
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 13/444,695 20120411
參考文獻 TW201104867A1; TW201114037A1; TW201128776A1; JP2010-129974A
審查人員 王安邦

專利摘要

本發明是揭露用於一通道區的一系統與方法。一實施例包含一通道區,此通道區具有多個雙重層,上述雙重層包含交互配置且互補的材料,例如為InAs層與GaSb層。上述互補材料的交互配置層對上述通道區整體提供適當的能帶間隙特性,其是單一材料層無法提供者。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包含:一隔離區在一基板上;一溝槽在該隔離區中;一絕緣層在該溝槽內;一通道區在該絕緣層上;以及一閘極堆疊結構,在該通道區的上方;其中該通道區包含:一第一層在該基板上,該第一層包含一第一III-V族材料,該第一III-V族材料具有一第一能帶間隙(band gap);一第二層在該第一層上,該第二層包含一第二III-V族材料,該第二III-V族材料具有一第二能帶間隙,該第二能帶間隙與該第一能帶間隙不同;一第三層在該第二層上,該第三層包含該第一III-V族材料;及一第四層在該第三層上,該第四層包含該第二III-V族材料。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一III-V族材料與該第二III-V族材料的組合,是選自下列組合組成之族群之一:該第一III-V族材料是InAs,而該第二III-V族材料是GaSb;該第一III-V族材料是InAs1-xSbx,而該第二III-V族材料是InyGa1-ySb;以及該第一III-V族材料是InGaAs,而該第二III-V族材料是InP或InAlAs。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一層包含4個單分子層(monolayer)。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一層具有一第一厚度,該第二層具有一第二厚度,該第二厚度與該第一厚度不同。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,更包含一模板層在該溝槽內的該絕緣層與該基板之間,該模板層調和在該基板與該絕緣層之間的晶格不匹配。 6.如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置,其中該基板為Si、該絕緣層為AlAsSb、該模板層為InAs。 7.一種半導體裝置,包含:一隔離區在一基板上;一溝槽在該隔離區中;一絕緣層在該溝槽內;一第一雙重層在該絕緣層上;一第二雙重層在該第一雙重層上;一閘介電質在該第二雙重層上;以及一閘極在該閘介電質上;其中該第一雙重層包含:一第一層,其包含銦;及一第二層在該第一層上,該第二層包含鎵;該第二雙重層包含:一第三層在該第一雙重層上,該第三層包含銦;及一第四層在該第三層上,該第四層包含鎵。 8.如申請專利範圍第7項所述之半導體裝置,更包含一模板層在該溝槽內的該絕緣層與該基板之間,該模板層調和在該基板與該絕緣層之間的晶格不匹配。 9.如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置,其中該基板為Si、該絕緣層為AlAsSb、該模板


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統