化合物半導體裝置、其製造方法、電源電路及高頻放大器 COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, POWER CIRCUIT, AND HIGH-FREQUENCY
申請人· 創世舫電子日本股份有限公司 TRANSPHORM JAPAN, INC. 日本 JP


專利信息

專利名稱 化合物半導體裝置、其製造方法、電源電路及高頻放大器
公告號 I517382
公告日 2016/01/11
證書號 I517382
申請號 2013/03/06
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 多木俊裕 OHKI, TOSHIHIRO
申請人 創世舫電子日本股份有限公司 TRANSPHORM JAPAN, INC. 日本 JP
代理人 陳長文
優先權 日本 2012-081975 20120330
參考文獻 CN101783314A; CN101924136A; JP2008-112868A; US4792832
審查人員 黃尹珊

專利摘要

一種化合物半導體裝置包括化合物半導體複合結構,在該化合物半導體複合結構中產生有二維電子氣體;以及在化合物半導體複合結構上形成之電極,其中,化合物半導體複合結構包括位於產生二維電子氣體處之部份下方的p型半導體層,以及p型半導體層包括含有比p型半導體層之其它部份還大量的離子化受體的部份,該部份係置於電極下方。


專利範圍

1.一種化合物半導體裝置,其包含:化合物半導體複合結構,在該化合物半導體複合結構中產生有二維電子氣體;以及在該化合物半導體複合結構上形成之電極;其中,該化合物半導體複合結構包括位於產生該二維電子氣體處之部份下方的p型半導體層,以及該p型半導體層包括含有比該p型半導體層之其它部份還大量的離子化受體的部份,該部份係位於該電極下方。 2.如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置,其中,該p型半導體層係由選自p型GaN、p型AlGaN、p型InAlN、以及p型AlN之材料所形成。 3.如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置,其中,該p型半導體層之該等其它部份包含用於受體鈍化之雜質。 4.如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置,其中,該p型半導體層之該等其它部份係薄於含有大量的該離子化受體之該部份。 5.如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置,其中,該p型半導體層之該等其它部份具有比含有大量的該離子化受體之該部份還低的離子化受體濃度。 6.如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置,其中,在該p型半導體層中,含有大量的該離子化受體之該部份係偏向該電極之一側。 7.如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置,其中,該電極與該化合物半導體複合結構接觸。 8.如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置,其中,該電極係置於插設在該化合物半導體複合結構與該電極之間具有絕緣膜之該化合物半導體複合結構上。 9.如申請專利範圍第8項所述之化合物半導體裝置,其中,具有該絕緣膜之該電極係經形成用以填充該化合物半導體複合結構中形成之凹口。 10.一種用於製造化合物半導體裝置的方法,該方法包含:形成化合物半導體複合結構,在該化合物半導體複合結構中產生有二維電子氣體;以及在該化合物半導體複合結構上形成電極,其中,在形成該化合物半導體複合結構時,p型半導體層係在對應於要產生該二維電子氣體處之部份下方的部份中形成,以及該p型半導體層包括含有比該p型半導體層之其它部份還大量的離子化受體的部份,該部份係置於該電極下方。 11.如申請專利範圍第10項所述之方法,其中,該p型半導體層係由選自p型GaN、p型AlGaN、p型InAlN、以及p型AlN之材料所形成。 12.如申請專利範圍第10項所述之方法,其中,該p型半導體層之該等其它部份包含用於受體鈍化之雜質。 13.如申請專利範圍第10項所述之方法


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
I515899 化合物半導體裝置、其製造方法及電子電路 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本 JP
I462290 化合物半導體裝置、其製造方法以及電氣裝置 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本 JP
I459555 化合物半導體裝置,其製造方法及電源供應器 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本 JP
201405809 化合物半導體裝置、其製造方法、電源供應裝置,以及高頻放大器 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本 JP
201320342 化合物半導體裝置、其製造方法及電子電路 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本 JP
201242015 化合物半導體裝置,其製造方法及電源供應器 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本 JP
201234588 化合物半導體裝置、其製造方法以及電氣裝置 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本 JP
I471921 化合物半導體裝置之製造方法及洗淨劑 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本 JP
I266425 化合物半導體裝置之製造方法 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. 日本
I225311 第III族氮化物系化合物半導體裝置之製造方法 豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD. 日本
I221633 化合物半導體裝置之製造方法 三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 日本 EKC科技股份有限公司 EKC TECHNOLOGY KABUSHIKI KAISHA 日本
591805 化合物半導體裝置的製造方法 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. 日本
565948 化合物半導體裝置之製造方法 三洋電機股份有限公司 日本
548854 化合物半導體裝置之製造方法 三洋電機股份有限公司 日本
495990 化合物半導體裝置之製造方法 三洋電機股份有限公司 日本
488091 化合物半導體裝置之製造方法及化合物半導體裝置之製造裝置 住友電氣工業股份有限公司 日本
201241896 化合物半導體裝置之製造方法及洗淨劑 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本 JP
200405420 化合物半導體裝置之製造方法 三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 日本 EKC科技股份有限公司 EKC TECHNOLOGY KABUSHIKI KAISHA 日本
200400651 第III族氮化物系化合物半導體裝置之製造方法 豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD. 日本

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統