單質



  • 雙氟亞乙烯單質聚合物薄膜之形成方法

    公告號:200603905 - 大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD. 日本

    1.一種雙氟亞乙烯單質聚合物薄膜之形成方法,其為單質或主成分為I型結晶構造之雙氟亞乙烯單質聚合物所成薄膜之形成方法,其特徵為使用在一邊末端或兩末端具有式(1):-(R 1 ) n -Y (1)(式中,R 1 為2價有機基,但,不含雙氟亞乙烯單質聚合物之構造單元;n為0或1;Y為機能性官能基)所示之部

  • 超高固質乙酸乙烯酯–乙烯及乙酸乙烯酯單質聚合物乳液

    公告號:513447 - 國民澱粉及化學投資控股公司 美國

    1.一種用以生成各種固質位準大於65重量%之乙烯乙酸乙烯酯基底聚合物乳液之方法,包含以下步驟: (i)提供一由乙酸乙烯酯、乙烯乙酸乙烯酯、丙烯酸、乙烯基丙烯酸及苯乙烯(甲)丙烯酸所組成集團中選出之粒徑為0.15至2.5微米之聚合物種子; (ii)在有5至15重量%之所述聚合物種子之最終乳液存在時將乙

  • 雙氟亞乙烯單質聚合物薄膜之形成方法

    公告號:I265050 - 大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD. 日本

    1.一種雙氟亞乙烯單質聚合物薄膜之形成方法,其為單質或主成分為I型結晶構造之雙氟亞乙烯單質聚合物所成薄膜之形成方法,其特徵為使用在一邊末端或兩末端具有式(1): -(R1)n-Y (1) (式中,R1為2價有機基,但,不含雙氟亞乙烯單質聚合物之構造單元;n為0或1;Y為機能性官能基)所示之部位,且雙

  • 高摻質矽單晶體之製造方法

    公告號:200303377 - 瓦克矽電子公司 WACKER SILTRONIC AG 德國

    1.1.一種自含有摻質且容納於轉動坩堝之熔融材料抽拉單晶體以製造高摻質矽單晶體之方法,其特徵為在單晶體抽拉過程中生長速率之起伏變化係限制在-0.3公屋/分鐘至0.3公厘/分鐘。 2.2.如申請專利範圍第1項之方法,其中生長速率起伏變化係藉控制對熔融材料與生長中單晶體間相界之熱能供應而加以限制。 3.

  • 含有單次使用飲料之顆粒狀物質的卡盒

    公告號:200303735 - 芮那 希弗利 RENE SCHIFFERLE 瑞士

    1.1.一種含有單次使用之顆粒狀物質的卡盒,可藉由水萃取該顆粒狀物質以準備一飲料,包括一基本上杯形或桶形之主體部以及一覆蓋件,該主體部具有一底部及一相對於該底部之開放端,該覆蓋件係用以緊密地附著至該主體部之該開放端,其特徵在於:具有至少一流體引導件,該流體引導件基本上為圓盤形的配置且有一中央縱向軸且

  • 用於單及異質雙極接面電晶體之超自對準集極元件以及製造其之方法

    公告號:200305282 - 英特爾公司 INTEL CORPORATION 美國

    1.1.一種製程,其包括:於基板中形成與第二隔絕結構隔離的第一隔絕結構;在該第一及第二隔絕結構之間形成一射極堆積;在該基板中的該射極堆積及該第一隔絕結構之間形成一自動對準凹口;以及在該第一及第二隔絕結構之間形成雙極接面電晶體。 2.2.如申請專利範圍第1項之製程,進一步包括:在該自動對準凹口中植入一

  • 質子傳導體及單離子傳導體及其製造方法

    公告號:200306588 - 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本

  • 具有高介電常數頂端介電質的介電儲存記憶體單元及其方法

    公告號:200406889 - 摩托羅拉公司 MOTOROLA INC. 美國

    1.一種形成一介電儲存記憶體單元之方法,包括:提供一基材;提供一位於該基材上方的第一介電質層,並具有一第一相對介電常數;提供一位於該第一介電質層上方的電荷儲存層,該電荷儲存層儲存代表一資料值的電荷;提供一位於該電荷儲存層上方的第二介電質層,該第二介電質層具有一大於該第一相對介電常數的第二相對介電常數

  • 用於快閃記憶晶胞的ONO內複晶介電質以及使用一單晶圓低溫沈積製程來製作此介電質之方法

    公告號:200407974 - 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學園區力行路十六號

    1.一種半導體元件的製造方法,包括:提供一晶圓基底;形成一第一氧化矽層於該晶圓基底上;以低溫沈積製程形成一氮化物層於該第一氧化矽層上;以及形成一第二氧化矽層於該氮化物層上。 2.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,進一步包括形成一浮置閘複晶於該晶圓基底上,且其中該第一氧化矽層是形成在該浮置閘複晶上。

  • 供製造一種包含單晶半導體材料之有用層之改善品質之基板之方法

    公告號:200407972 - 斯歐埃技術公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 法國

    1.一種製造一於一支撐體(40)上具至少一單晶半導體材料之有用層(30)之基板之方法,該方法包含在一核化層(12)上之單晶半導體材料之磊晶長成,該核化層係以取自一源基板(10)之核化材料之薄層型式設在中間支撐體(20)上,該方法包括下列步驟:選擇該中間支撐體之材料,使之得以由給定之蝕刻媒介所化學蝕刻

  • 供螢光單或多層儲存之具各向異性偶極發射之最佳化媒質

    公告號:200407866 - 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. 荷蘭

    1.一種用於藉由修改聚合體材料之光學特性以在一包含聚合體材料(10,42)之儲存媒質(42,43)中寫入資料之方法,該方法包含下列步驟:-加熱該材料,使其高於玻璃轉變溫度(T g ),-執行該材料之校直,-藉由以一波長之光線照射並持續一時限,或藉由其他啟動重新定向、及在讀取程序中實現自該儲存媒質(4

  • 抗流感M2蛋白質之人類單株抗體及其製備及使用方法

    公告號:200407161 - 吉米尼科學股份有限公司 GEMINI SCIENCE INC 美國

    1.一種專一性結合流感病毒蛋白質M2之抗體,其中該抗體包括人類、人性化或嵌合之單株抗體。 2.根據申請專利範圍第1項之抗體,其中該抗體至少與部分之M2胞外區域或M2胞外區域之子序列結合。 3.根據申請專利範圍第2項之抗體,其中該胞外區域包括胺基酸序列SLLTEVETPIRNEWGCRCNDSSD(序

  • 具有抗反射性質之機械耐久性單層塗膜的製備

    公告號:200419007 - DSM智慧財產有限公司 DSM IP ASSETS B. V. 荷蘭

    1.一種單層抗反射硬塗層。 2.如申請專利範圍第1項之單層抗反射硬塗層,其包含結構表面,以奈米結構表面為佳。 3.如申請專利範圍第2項之硬塗層,其中包含硬度高於0.5GPa(高於0.7GPa較佳,高於1.0GPa更佳)的材料,此硬度係藉奈米刻紋測定。 4.如申請專利範圍第2項之硬塗層,其中包含簡化抗

  • 於4"-或4'-位置經取代之具有除害性質的艾弗麥可汀(AVERMECTIN)-及艾弗麥可汀單醣衍生物

    公告號:200420574 - 先正達合夥公司 SYNGENTA PARTICIPATIONS AG 瑞士

  • 質子傳導體、單離子傳導體、其等之製造方法、以及電化學電容器

    公告號:200423153 - 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本