LC濾波器電路及高頻模組
申請人· 村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 LC濾波器電路及高頻模組
公告號 I517570
公告日 2016/01/11
證書號 I517570
申請號 2012/11/07
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 岸本健 KISHIMOTO, KEN
申請人 村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. 日本 JP
代理人 閻啟泰; 林景郁
優先權 日本 JP2011-244044 20111108
參考文獻 JP48-047240A; JP9-2542842A; JP2006-246123A; JP2008-147709A; JP2011-0617601A
審查人員 劉明諭

專利摘要

提供插入損耗低且可獲得急速衰減特性之小型LC濾波器電路。 第1輸出入端子P1與第2輸出入端子P2係以訊號線100連接。訊號線100係透過第1電感器101連接於接地。第2電感器102與電容器103一起構成LC並列電路10。LC並列電路10連接於接地。第1電感器101與第2電感器102係配置成以交互電感M磁場耦合。此時,第1電感器101與第2電感器102係以藉由磁場耦合使交互電感以-M作用於各電感器之方式配置。


專利範圍

1.一種LC濾波器電路,具備:第1電路,具有第1端部連接於將第1輸出入端子與第2輸出入端子加以連結之訊號線之第1電感器、及由第2電感器及並聯於該第2電感器之電容器構成之第一LC並列電路;以及第2電路,具有第1端部連接於該訊號線之第3電感器、及由第4電感器及並聯於該第4電感器之電容器構成之第二LC並列電路;該第1電感器與該第2電感器係配置成磁場耦合,該第3電感器與該第4電感器係配置成磁場耦合;該第一LC並列電路之第2電感器與電容器之一方之連接點及該第二LC並列電路之第4電感器與電容器之一方之連接點係透過接地用電容器接地;該第一LC並列電路之電容器係以該第2電感器之寄生電容器形成;該第二LC並列電路之電容器係以該第4電感器之寄生電容器形成。 2.如申請專利範圍第1項之LC濾波器電路,其中,該第1電感器及該第3電感器之與該第1端部相反側之第2端部係透過接地用電容器接地。 3.如申請專利範圍第1或2項之LC濾波器電路,其中,該第2電感器之電感大於該第1電感器之電感;該第4電感器之電感大於該第3電感器之電感。 4.如申請專利範圍第1或2項之LC濾波器電路,其中,該第一LC並列電路之電容器為該第2電感器與該接地用電容器形成之寄生電容器;該第二LC並列電路之電容器係以該第4電感器與該接地用電容器形成之寄生電容器形成。 5.如申請專利範圍第3項之LC濾波器電路,其中,該第一LC並列電路之電容器為該第2電感器與該接地用電容器形成之寄生電容器;該第二LC並列電路之電容器係以該第4電感器與該接地用電容器形成之寄生電容器形成。 6.一種高頻模組,由申請專利範圍第1至5項中任一項之LC濾波器電路之構成構成;具備:積層體,積層有複數個電介質層;第1導電圖案,設在該電介質層,形成該第1電感器、該第2電感器及該電容器;以及第2導電圖案,設在該電介質層,形成該第3電感器、該第4電感器及該電容器;形成該第1電感器之第1導電圖案與形成該第2電感器之第1導電圖案沿著該積層體之積層方向至少一部分對向;形成該第3電感器之第2導電圖案與形成該第4電感器之第2導電圖案沿著該積層體之積層方向至少一部分對向。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統