有未摻雜的汲極欠疊環繞區域的穿隧場效電晶體(TFET) TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTORS (TFETs) WITH UNDOPED DRAIN UNDERLAP WRAP-AROUND REGIONS
申請人· 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US


專利信息

專利名稱 有未摻雜的汲極欠疊環繞區域的穿隧場效電晶體(TFET)
公告號 I517407
公告日 2016/01/11
證書號 I517407
申請號 2014/06/23
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 艾維可 尤嘉 AVCI, UYGAR E.; 金瑞松 KIM, RASEONG; 楊 艾恩 YOUNG, IAN A.
申請人 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US
代理人 林志剛
優先權 世界智慧財產權組織 PCT/US13/48351 20130627
參考文獻 CN101740621A; US2009/0283824A1; US2013/0134504A1
審查人員 陳志遠

專利摘要

敘述有未摻雜汲極欠疊環繞區域的穿隧場效電晶體(TFET)。例如,穿隧場效電晶體(TFET)包含同質接面主動區域形成在基板上。同質接面主動區域包含:摻雜源極區域、未摻雜通道區域、環繞區域及摻雜汲極區域。閘極電極及閘極介電層形成在未摻雜通道區域上,且在源極及環繞區域之間。


專利範圍

1.一種穿隧場效電晶體(TFET),包含:同質接面主動區域形成在基板上,該同質接面主動區域包含:摻雜源極區域、未摻雜通道區域、環繞汲極欠疊區域及摻雜汲極區域;以及閘極電極及閘極介電層形成在未摻雜通道區域上,且在該源極及環繞區域之間。 2.如請求項第1項之TFET,其中該TFET具有在第一方向的長度及在第二方向的寬度,且該環繞區域具有大於在該第一方向的長度的在該第二方向的寬度。 3.如請求項第1項之TFET,其中該TFET的該長度及該寬度與金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的長度及寬度相似。 4.如請求項第1項之TFET,其中該TFET係基於鰭狀場效電晶體或三閘極的裝置。 5.如請求項第1項之TFET,其中該TFET的裝置更包含:各鄰接該閘極電極的對稱閘極間隔物。 6.如請求項第5項之TFET,其中該環繞區域成長在該主動區域的暴露部分上,且鄰接該閘極電極的該閘極間隔物的其中之一。 7.如請求項第1項之TFET,其中摻雜汲極區域係由成長原位摻雜材料在該環繞區域的暴露部分上而形成。 8.如請求項第1項之TFET,其中該TFET的裝置係n型TFET,其包含,具有p+摻雜物的該源極區域及具有n型摻雜物的該汲極區域。 9.一種穿隧場效電晶體(TFET),包含:異質接面主動區域形成在基板上,該異質接面主動區域包含:摻雜源極區域、未摻雜通道區域、環繞區域及摻雜汲極區域;以及閘極電極及閘極介電層形成在該未摻雜通道區域上,且在該源極及該環繞區域之間。 10.如請求項第9項之TFET,其中該TFET具有在第一方向的長度及在第二方向的寬度,且該環繞區域具有大於在該第一方向的長度的在該第二方向的寬度。 11.如請求項第9項之TFET,其中該TFET的該長度及該寬度與金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的長度及寬度相似。 12.如請求項第9項之TFET,其中該TFET係基於鰭狀場效電晶體或三閘極的裝置。 13.如請求項第9項之TFET,其中該TFET的裝置更包含:具有約相等的厚度且各鄰接該閘極電極的對稱閘極間隔物。 14.如請求項第13項之TFET,其中該環繞區域成長在該主動區域的暴露部分上,且鄰接該閘極電極的該閘極間隔物的其中之一。 15.如請求項第9項之TFET,其中摻雜汲極區域係由成長原位摻雜材料在該環繞區域的暴露部分上而形成。 16.如請求項第9項之TFET,其中該TFE


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統