太陽能電池之製造方法 METHOD FOR FABRICATING SOLAR CELL
申請人· 茂迪股份有限公司 MOTECH INDUSTRIES, INC. 新北市深坑區北深路3段248號6樓 TW


專利信息

專利名稱 太陽能電池之製造方法
公告號 I517428
公告日 2016/01/11
證書號 I517428
申請號 2011/09/02
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 黃建中 HUANG, CHIENCHUNG; 林景穎 LIN, CHINGYING
申請人 茂迪股份有限公司 MOTECH INDUSTRIES, INC. 新北市深坑區北深路3段248號6樓 TW
代理人 蔡坤財; 李世章
優先權
參考文獻 TW200943575A1; TW201021221A1; TW201027778A1; TW201119070A1; US2009/0280597A1; WO02/31892A1
審查人員 徐孝倫

專利摘要

一種太陽能電池之製造方法。此太陽能電池製造方法係利用酸蝕刻後的矽晶圓來進行鈍化製程。在此太陽能電池之製造方法中,首先提供單晶矽之基材。接著,進行第一酸蝕刻製程來蝕刻基材之表面。然後,利用修補元素來修補基材之晶格缺陷,其中修補元素為硼、氟、氫、重氫之任一者。接著,以鹼蝕刻製程對基材之表面進行粗糙化。然後,對基材進行雜質摻雜,以於基材中形成摻雜區域,其中摻雜區域為包含表面之半導體基材部分。接著,進行第二酸蝕刻製程,以使此表面之外的其他基材表面電性絕緣。然後,形成金屬電極層於基材上。


專利範圍

1.一種太陽能電池之製造方法,包含下列步驟:提供一單晶矽之基材;以一第一酸蝕刻製程來蝕刻該基材之一表面;進行一鈍化步驟,以利用一修補元素修補該基材之晶格缺陷,其中該修補元素為硼、氟、氫、重氫之任一者;以一鹼蝕刻製程來對該基材之該表面進行粗糙化;對該基材之該表面進行雜質摻雜,以於該基材中形成一摻雜區域,其中該摻雜區域為包含該表面之半導體基材部分;以一第二酸蝕刻製程來對該基材進行絕緣隔離,以使該表面與其他基材表面之間電性絕緣;以及形成一金屬電極層於該基材上。 2.如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池之製造方法,其中形成該金屬電極層之步驟係利用蒸鍍或濺鍍之方式來形成該金屬電極層。 3.如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池之製造方法,其中該鹼蝕刻製程係利用氫氧化鉀與異丙醇之混合液來進行蝕刻。 4.如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池之製造方法,其中該修補元素為氫時,該鈍化步驟包含:形成一鈍化層於該基材上,其中該鈍化層之材質為氮化矽(SiNx:H);以及移除該鈍化層。 5.如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池之製造方法,其中該第一酸蝕刻製程之蝕刻液係選自於由硝酸、氫氟酸所組成群組。 6.一種太陽能電池之製造方法,包含下列步驟:提供一單晶矽之基材,具有相對之一第一表面和一第二表面;以一鹼蝕刻製程來對該基材之該第一表面與該第二表面進行粗糙化;對該基材之該第一表面進行雜質摻雜,以於該基材中形成一摻雜區域,其中該摻雜區域為包含該第一表面之半導體基材部分;以一酸蝕刻製程來對該基材進行絕緣隔離,以使該第二表面以及鄰接於該第二表面之基材表面之間電性絕緣;進行一鈍化步驟,以利用一修補元素來修補該基材之晶格缺陷,其中該修補元素為硼、氟、氫、重氫之任一者;以及形成一金屬電極層於該基材上。 7.如申請專利範圍第6項所述之太陽能電池之製造方法,其中形成該金屬電極層之步驟係利用蒸鍍或濺鍍之方式來形成該金屬電極層。 8.如申請專利範圍第6項所述之太陽能電池之製造方法,其中該酸蝕刻製程係利用硝酸、氫氟酸與硫酸之混合液來進行蝕刻。 9.如申請專利範圍第6項所述之太陽能電池之製造方法,其中該修補元素為氫時,該鈍化步驟包含:形成一鈍化層於該基材上,其中該鈍化層之材質為氮化矽(SiNx:H);以及移除該鈍化層。 10.一種太陽能電池之製造方法,包含下列步驟:提供一單晶矽之基材,具有相對之一第一表面和一第二表面;以


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統