具降低電荷層之絕緣層上矽高帶寬電路之設計結構、方法與裝置 METHOD, APPARATUS, AND DESIGN STRUCTURE FOR SILICON-ON-INSULATOR HIGH-BANDWIDTH CIRCUITRY WITH REDU
申請人· 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US


專利信息

專利名稱 具降低電荷層之絕緣層上矽高帶寬電路之設計結構、方法與裝置
公告號 I517356
公告日 2016/01/11
證書號 I517356
申請號 2011/08/01
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 波圖拉 亞倫B BOTULA, ALAN B.; 喬瑟夫 艾文J JOSEPH, ALVIN J.; 斯林克曼 詹姆士A SLINKMAN, JAMES A.; 沃夫 藍迪L WOLF, RANDY L.
申請人 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US
代理人 李宗德
優先權 美國 12/848,558 20100802
參考文獻 US2003/0067014A1; US2009/0146245A1; US2010/0035403A1; Daniel C. Kerr et al. "Identification of RF harmonic distortion on Si substrates and its reduction using a trap-rich layer",2008。
審查人員 郭子鳳

專利摘要

本發明提供一種方法、積體電路及設計結構,其包含具有溝渠結構及一離子雜質佈植的矽基板層。絕緣體層位於矽基板層之上且接觸矽基板層。絕緣體層填充溝渠結構。電路層位於埋層絕緣體層之上且接觸埋層絕緣體層。電路層包含由被動結構所分隔之主動電路之群組。當以俯視圖觀察積體電路結構時,溝渠結構位於主動電路群組之間。因此,當以俯視圖觀察積體電路結構時,溝渠結構係於被動結構之下但不在電路群組之下。


專利範圍

1.一種積體電路結構,包含:一高阻值矽(HRS)基板層,包含溝渠晶格結構及一離子雜質佈植;一埋層氧化物(BOX)層,位於該高阻值矽基板層之上且接觸該高阻值矽基板層,該埋層氧化物層填充該溝渠晶格結構;以及一電路層,位於該埋層氧化物層之上且接觸該埋層氧化物層,其中該電路層包含由被動結構所分隔之主動電路群組;當以一俯視圖觀察該積體電路結構時,該溝渠晶格結構係位於該主動電路群組之間,其中該俯視圖係呈現該電路層為該積體電路結構之一頂部且該高阻值矽基板層為該積體電路結構之一底部,使得當以該俯視圖觀察該積體電路結構時,該溝渠晶格結構係於該被動結構之下但不在該主動電路群組之下;以及當以該俯視圖觀察該積體電路結構時,該溝渠晶格結構係環繞該主動電路群組。 2.如請求項1所述之積體電路結構,其中該高阻值矽基板層之一阻值大於1kΩ-cm。 3.一種積體電路結構,包含:一矽基板層,包含溝渠晶格結構及一離子雜質佈植;一絕緣體層,位於該矽基板層之上且接觸該矽基板層,該絕緣體層填充該溝渠晶格結構;以及一電路層,位於該絕緣體層之上且接觸該絕緣體層;其中該電路層包含由被動結構所分隔之主動電路群組;當以一俯視圖觀察該積體電路結構時,該溝渠晶格結構係位於該主動電路群組之間,其中該俯視圖係呈現該電路層為該積體電路結構之一頂部且該矽基板層為該積體電路結構之一底部,使得當以該俯視圖觀察該積體電路結構時,該溝渠晶格結構係於該被動結構之下但不在該主動電路群組之下;以及當以該俯視圖觀察該積體電路結構時,該溝渠晶格結構係環繞該主動電路群組。 4.如請求項3所述之積體電路結構,其中該矽基板層之一阻值大於1kΩ-cm。 5.如請求項1或3所述之積體電路結構,其中該離子雜質佈植包含氬、碳及硼。 6.如請求項1或3所述之積體電路結構,其中該主動電路包含射頻(RF)電路、功率放大器電路、電壓控制振盪器電路、環型振盪器電路、低噪音放大器電路、混合器電路、數位/類比轉換器電路、或類比/數位轉換器電路。 7.一種用以形成一積體電路結構之方法,該方法包含:圖案化溝渠晶格結構於一高阻值矽(HRS)基板層中;佈植一離子雜質佈植於該高阻值矽基板層中;形成一埋層氧化物(BOX)層於該高阻值矽基板層上且於該溝渠晶格結構內;以及形成一電路層於該埋層氧化物層上;其中該電路層包含由被動結構所分隔之主動電路群組;當以一俯視圖觀察該積體電路結構時,該溝渠晶


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統