異質接合雙極性電晶體 HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
申請人· 村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 異質接合雙極性電晶體
公告號 I517381
公告日 2016/01/11
證書號 I517381
申請號 2014/03/19
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 大部功 OBU, ISAO; 梅本康成 UMEMOTO, YASUNARI; 黑川敦 KUROKAWA, ATSUSHI
申請人 村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. 日本 JP
代理人 閻啟泰; 林景郁
優先權 日本 JP2013-056259 20130319
參考文獻 TW200308088; TW200416896; TW201108406
審查人員 施喻懷

專利摘要

兼顧低成本化與電氣特性及可靠性之劣化抑制。異質接合雙極性電晶體(10A),具有:集極層(16),由以GaAs為主成分之半導體構成;第1基極層(18A),與集極層(16)異質接合,由以與集極層(16)之主成分晶格失配之材料為主成分之半導體構成,且係導入失配差排之臨界膜厚未滿之膜厚;第2基極層(18b),與第1基極層(18A)接合,由與集極層(16)之主成分晶格匹配之材料為主成分之半導體構成;以及射極層(20),與第2基極層(18b)異質接合。


專利範圍

1.一種異質接合雙極性電晶體,具有:集極層,由以GaAs為主成分之半導體構成;第1基極層,與該集極層異質接合,由以與該集極層之主成分晶格失配之材料為主成分之半導體構成,且係導入失配差排之臨界膜厚未滿之膜厚;第2基極層,與該第1基極層接合,由與該集極層之主成分晶格匹配之材料為主成分之半導體構成;以及射極層,與該第2基極層異質接合。 2.如申請專利範圍第1項之異質接合雙極性電晶體,其中,該集極層係以含有該GaAs之n型半導體構成;該第1基極層及該第2基極層係以含有各自之該主成分之p型半導體構成;該射極層係以n型半導體構成;在該第2基極層,在與該第1基極層接合前之狀態下,傳導帶下端之能量係顯示從該第1基極層之傳導帶下端之能量減去室溫下自由電子具有之熱能量之值以上之較高值。 3.如申請專利範圍第2項之異質接合雙極性電晶體,其中,在第1基極層與第2基極層接合前之狀態下,從自第1基極層之價電子帶上端之能量減去第2基極層之價電子帶上端之能量之值、減去自第1基極層之傳導帶下端之能量減去第2基極層之傳導帶下端之能量之值後之值,係顯示正值。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之異質接合雙極性電晶體,其中,該第1基極層之主成分係GaSbxAs1-x(x:Sb之組成比,x>0)。 5.如申請專利範圍第1至3項中任一項之異質接合雙極性電晶體,其中,該第2基極層之主成分係GaAs或AlyGa1-yAs(y:Al之組成比,y>0)。 6.如申請專利範圍第1至3項中任一項之異質接合雙極性電晶體,其中,該第2基極層之主成分係GaAs。 7.如申請專利範圍第1至3項中任一項之異質接合雙極性電晶體,其中,該基極層具有該基極層之片材電阻為200Ω/square以下之厚度。 8.如申請專利範圍第1至3項中任一項之異質接合雙極性電晶體,其具有相對於該集極層設在該基極層之相反側、且以GaAs或Si為主成分之半導體基板。 9.如申請專利範圍第5項之異質接合雙極性電晶體,其中,該射極層係以AlyGa1-yAs或InGaP為主成分之半導體構成。 10.如申請專利範圍第6項之異質接合雙極性電晶體,其中,該射極層係以AlyGa1-yAs或InGaP為主成分之半導體構成。 11.如申請專利範圍第2或3項之異質接合雙極性電晶體,其中,該第1基極層及該第2基極層之至少一方之載子濃度係顯示從該射極層側朝向該集極層側變小之分布。


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