有機抗反射塗覆材料及其製法(二)
申請人· 現代電子產業股份有限公司 韓國


專利信息

專利名稱 有機抗反射塗覆材料及其製法(二)
公告號 546318
公告日 2003/08/11
證書號 184261
申請號 1999/11/17
國際專利分類號
公報卷期 30-23
發明人 鄭旼鎬;洪聖恩;白基鎬
申請人 現代電子產業股份有限公司 韓國
代理人 洪澄文
優先權
參考文獻
審查人員

專利摘要

本發明乃揭露具有化學式I、II以及III之聚合物: 本發明之聚合物可提供一種在次微米微影製程中使用248nm KrF-193nm ArF和157nm F2雷射的作為抗反射塗覆(ARC)材料。此聚合物含有發色團組成,其對次微米微影製程中所使用的光源波長具有足夠的吸收性。此ARC可避免半導體裝置表面或較低層之反射光的反射,並且可解決來自較低層之繞射和反射改變臨界尺寸(CD)之問題。此 ARC層也可排除位在晶圓表面之較低層的光學特性及位於其表面之光敏感薄膜厚度改變所引起的駐波和反射結點。據此,可用於形成適用於64M、256M,1G,4G和16G DRAM半導體裝置之穩定超細微的圖案,且可大量改善其產率。


專利範圍

1.一種以化學式39表示之9-烷基丙烯酸化合物: 其中, R1是氫原子或甲基; R1~R9為相同或相異的,各自代表氫原子、氫氧基、甲氧基羰基、羧基、氫氧基甲基,或取代未取代的直鏈或支鏈狀的C1-C6烷基、烷類、烷氧烷基或烷氧烷類;以及m是1至4間之整數。 2.一種製造9-烷基丙烯酸化合物之方法,其步驟包括使9-甲基烷醇與丙烯醯氯在含有啶之四氫喃中反應,如反應式4所示: 其中,RI是氫原子或甲基;R1~R9為相同或相異的,各自代表氫原子、氫氧基、甲氧基羰基、羧基、氫氧基甲基,或取代未取代的直鏈或支鏈狀的C1-C6烷基、烷類、烷氧烷基或烷氧烷類;以及m是1至4(含)之整數。 3.一種以化學式40表示之4-甲醯苯基甲基丙烯酸化合物: 4.一種製造4-甲醯基苯基甲基丙烯酸化合物之方法,其步驟包括: 使甲基丙烯醯氯與4-氫氧基苯甲醛反應,得一4-甲醯基苯基甲基丙烯酸。 5.一種以通式I表示之聚合物: 其中, R和RI是相同或相異的,各自代表氫原子或甲基; R1至R9可為相同或相異的,各自代表氫原子、氫氧基、甲氧基羰基、羧基、氫氧基甲基或取代或未取代的直鏈或支鏈狀的C1-C5烷基、烷類、烷氧烷基或烷氧基烷類; x和y各自為0.01至0.99間之莫耳分率,其和小於1;以及 m是1或2,而n是2至4(含)之整數。 6.如申請專利範圍第5項所述之聚合物,其中R1~R9各自為氫原子;RI是氫原子;x和y各自為0.5;且m是1,n是2。 7.如申請專利範圍第5項所述之聚合物,其中R1~R9各自為氫原子;RI是氫原子;x和y各自為0.5;且m是1,n是3。 8.如申請專利範圍第5項所述之聚合物,其中R1~R9各自為氫原子;RI是氫原子;x和y各自為0.5;且m是1,n是4。 9.如申請專利範圍第5項所述之聚合物,其中R1~R9各自為氫原子;RI是甲基;x和y各自為0.5;且m是1,n是2。 10.如申請專利範圍第5項所述之聚合物,其中R1~R9各自為氫原子;RI是甲基;x和y各自為0.5;且m是1,n是3。 11.如申請專利範圍第5項所述之聚合物,其中R1~R9各自為氫原子;RI是甲基;x和y各自為0.5;且m是1,n是4。 12.如申請專利範圍第5項所述之聚合物,其中R1~R9各自為氫原子;RI是氫原子;x和y各自為0.5;且m是2,n是2。 13.如申請專利範圍第5項所述之聚


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