半導體材料



  • 降低半導體材料與電極接觸層間介面能階之製造方法

    公告號:200300052 - 林瑞明 臺北縣新莊市中正路八九七號十六樓之一

    1.1.一種降低半導體材料與電極接觸層間介面能階之製造方法,該半導體元件在不離開磊晶系統或不破真空的狀態之下,直接於該半導體元件表面沈積上一電極金屬層之後,再拿出長晶室或破真空,再鍍上一適當厚度的電極金屬層,然後,再進行退火處理。 2.2.如申請專利範圍第1項所述之降低半導體材料與電極接觸層間介面能

  • 容納熔融半導體材料之裝置

    公告號:200301321 - 瓦克矽電子公司 WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FUR HALBEITERMATERIALIEN AG 德國

    1.一用以容納熔融半導體材料之裝置,該裝置包括一石英玻璃製坩堝及一基座,該基座至少部分包括CFC並可支撐該坩堝,而且包括一具有底部之內表面,一圓柱形部分及底部與圓柱形部分之間之彎曲部分,該裝置具有一薄、片狀及可柔韌變形之石墨膜,該石墨膜係配置在坩堝與基座之間且形成一氣密障礙物。 2.如申請專利範圍第

  • 半導體材料的機械加工技術

    公告號:200305945 - 艾克斯席爾科技有限公司 XSIL TECHNOLOGY LIMITED 愛爾蘭

    1.1.一種機械加工一基材的方法,其包含以下步驟:(a)使用一發出可見的或紫外線輻射之雷射,以在該基材的一第一表面中自該第一表面機器加工一構形至一預定深度,該深度係少於該基材的整體深度;與(b)從該基材的一第二表面相對於該第一表面移除物質至該預定深度以與該構形相通。 2.2.如申請專利範圍第1項的方

  • 供製造一種包含單晶半導體材料之有用層之改善品質之基板之方法

    公告號:200407972 - 斯歐埃技術公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 法國

    1.一種製造一於一支撐體(40)上具至少一單晶半導體材料之有用層(30)之基板之方法,該方法包含在一核化層(12)上之單晶半導體材料之磊晶長成,該核化層係以取自一源基板(10)之核化材料之薄層型式設在中間支撐體(20)上,該方法包括下列步驟:選擇該中間支撐體之材料,使之得以由給定之蝕刻媒介所化學蝕刻

  • 在矽半導體材料上之異質整合

    公告號:200409304 - 摩托羅拉公司 MOTOROLA INC. 美國

    1.一種形成異質整合半導體裝置之方法,包括步驟:提供一晶圓,其於矽(Si)基板上,具有一鍺(Ge)層,一氧化物層;保護鍺(Ge)層之鍺區域;將矽(Si)層之矽區域暴露出來;在暴露之矽區域中生長矽材料;在矽材料中形成矽裝置;將一部分鍺(Ge)層暴露出來;在鍺(Ge)層之暴露部分,生長化合物半導體材料;

  • 應變半導體材料之層移轉

    公告號:200409281 - 斯歐埃技術公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 法國

    1.一種製造一包含得自施體晶圓(10)之應變半導體材料薄層之結構的方法,施體晶圓(10)包含晶格參數匹配層(2),匹配層(2)包含材料選用自具有第一晶格參數之半導體材料的上層,其特徵為包含以下各步驟:(a)在匹配層(2)的上層上生長材料選用自半導體材料的膜(3),膜(3)之材料具有的標稱晶格參數與第

  • 單晶半導體材料之自立型基板之製造方法

    公告號:200409837 - 斯歐埃技術公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 法國

    1.一種製造單晶半導體材料之自立型基板(10)的製造方法,其特徵為它包含以下步驟,其係包含:-將一薄核化層(5、5’)藉由產生於該兩可移動焊接介面(9)之間而傳遞於一支撐物(7)上;-藉由該薄核化層上(5、5’)的磊晶而生長,一微晶型材料層(10)意圖包含該基板,直到它得到足夠自立之一厚度而卻能保有

  • 具有雙極性構造之半導體材料及使用其之半導體元件

    公告號:200414535 - 住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LTD. 日本

    1.一種半導體材料,是針對具備:具集極層、基極層以及射極層的雙極性電晶體構造之半導體材料,其特徵為:設置電洞阻擋層,以防止具有減低在集極電流密度上升時,藉由蓄積在上述集極層內之電子之能帶的提升效果之電洞的擴散,以維持能帶之提升。 2.如申請專利範圍第1項記載之半導體材料,其中,上述附加層係InGaA

  • 半導體材料晶圓之快速退火方法

    公告號:200416894 - 斯歐埃技術公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 法國

    1.一種供選自於半導體材料之材料晶圓之表面處理製程,該晶圓係經由轉移技術而獲得,而包含一個快速退火階段之該製程依序包含:‧意欲開始加熱之溫升之第一斜坡,‧意欲穩定溫度之第一穩定保持,‧溫升之第二斜坡,其特徵為在該第二斜坡期間,該溫升之平均斜率具有已知為低溫之第一範圍內之第一值,然後在已知為高溫範圍內

  • 結晶質半導體材料之製造方法及半導體裝置之製造方法

    公告號:200416834 - 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本

    1.一種結晶質半導體材料之製造方法,其特徵為由半導體單結晶之複數個結晶粒來製造結晶質半導體材料,且包含:第一工序,其係在基板上形成上述半導體的非晶質材料或上述半導體的多結晶材料;及第二工序,其係以能使相對於上述基板面垂直方向上具有特定面方位之結晶粒的一部份熔融且使上述半導體之非晶質或具有上述面方位以

  • 電子裝置用半導體材料及使用該材料的半導體元件

    公告號:200421489 - 住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LTD. 日本

    1.一種半導體材料,針對於具備具集極層、基極層及射極層的雙載子電晶體構造的半導體材料,其特徵為:上述基極層具備具所需載子濃度的第一層,及具比該第一層的載子濃度還低的載子濃度的第二層。 2.如申請專利範圍第1項所述的半導體材料,其中,上述第二層的層厚為1000 Å以下。 3.一種半導體材料,針對於具備

  • P型氮半導體材料之分子束外延生長

    公告號:200421451 - 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA 日本

    1.一種藉由分子束外延以生長一P型氮半導體材料之方法,該方法包含在該生長程序期間供給雙環戊二烯鎂(bis (cyclopentadienyl)magnesium; Cp 2 Mg)。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中該氮半導體材料係p型(Ga, Al)N。 3.如申請專利範圍第1或2項之方法,其

  • 於有機半導體材料上或與其相關之改良

    公告號:200427120 - 艾菲西亞有限公司 AVECIA LIMITED 英國

    1.一種使用作為有機半導體體(OSC)材料的組合物,該組合物包括:(i)至少一種較高分子量的有機半導體體化合物,其具有至少5000的數均分子量(Mn);及(ii)至少一種較低分子量的有機半導體體化合物,其具有1000或較少的數均分子量(Mn)。 2.如申請專利範圍第1項之組合物,其中該較高分子量的半

  • 摻雜有機半導體材料及其製造方法

    公告號:200509428 - 諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH 德國

    1.一種經由摻雜摻雜物(1)製造具有較高之載流子密度及較有效之載流子遷移率的摻雜有機半導體材料的方法,在將摻雜物(1)摻雜入有機半導體材料後,氫、一氧化碳、氮、或是氫氧根會被分離出來,而且至少會有一個電子會被移入半導體材料或是從半導體材料被移出,這種方法的特徵為:以一種未帶電荷的有機化合物作為摻雜物

  • 薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法

    公告號:200512940 - 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號

    1.一種應用於製作一薄膜電晶體元件主動層之化合物半導體材料,其係由一摻雜一摻雜物之Ⅱ-Ⅵ族化合物組成,其中該摻雜物係選自一由鹼土金屬(alkaline-earth metal)、ⅢA元素、ⅣA元素、VA元素、ⅥA元素、與過渡金屬(Transitional Metal)組成之群組,該摻雜物在該材料中所