化工中間體



  • 蝕刻光罩用含矽膜形成用組成物,蝕刻光罩用含矽膜及使用其之基板加工中間體及被加工基板之加工方法

    公告號:I390353 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP

    1.一種含矽膜形成用組成物,係用於多層阻劑法(multilayer resist process),此多層阻劑法包括以下步驟:在可圖型化的基板上依序形成下層膜、中間含矽膜、和光阻膜,以及進行多階段蝕刻,該含矽膜形成用組成物是用於形成該中間含矽膜作為蝕刻遮罩(etching mask),此組成物包括含

  • 含矽防反射膜形成用組成物、含矽防反射膜、以及使用其之基板加工中間體及被加工基板之加工方法

    公告號:I368627 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP

    1.一種防反射塗覆膜,其係使用於在使用波長200nm以下曝光之光微影術法之防反射塗覆膜,其特徵為:該塗覆膜係由包含含矽聚合物、酸產生劑、有機溶劑之防反射塗覆膜組成物所形成;該含矽聚合物係使聚合物每單位質量之Si-O鍵結之數設為L,Si-Si鍵結結之數設為M,Si-C鍵結之數設為N時,可滿足0.05≦

  • 供製備5,6–二氫–(S)–4–(乙胺)–(S)–6–甲基–4H–嗯並[2,3–b]喃–2–氨磺醯7,7--二氧化物中間體及相關化合物之中間體合成方法

    公告號:394767 - 美國默克大藥廠 美國

    1.一種製備具有下述結構式之化合物I的方法: 其中R1為氫、C1-4烷基、或C1-4烷氧基-C1-4烷基,該方法包括將結構式如下之化合物III: 其中M+為Na+、K+、或Li+,以結構式如下之化合物IV處理: 其中R及R1各獨立為氫,C1-4烷基或C1-4烷氧基-C1-4烷基,及R2為甲苯磺醯基,

  • 克流感(TAMIFLU)合成中的環氧化物中間體

    公告號:200734316 - 赫孚孟拉羅股份公司 F. HOFFMANN-LA ROCHE AG 瑞士

    1.一種製造不飽和環狀酸或其鹽之酯之方法,其包含在芳族酸存在下將酸或其鹽予以酯化同時在至少一部分之酯化期間移除水之步驟。 2.如請求項1之方法,其中該不飽和環狀酸或其鹽包含莽草酸或其鹽。 3.如請求項1之方法,其中該芳族酸包含磺酸部分。 4.如請求項1之方法,其中該芳族酸大體上無羧酸酯官能基。 5.

  • 蝕刻光罩用含矽膜形成用組成物,蝕刻光罩用含矽膜及使用其之基板加工中間體及被加工基板之加工方法

    公告號:200732845 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

    1.一種蝕刻光罩用含矽膜形成用組成物,其特徵為,在被加工基板上形成下層膜,在其上形成含矽膜,進而在其上形成光阻膜後,在使用於進行多階段蝕刻之多層光阻法之中間膜的含矽膜形成用組成物,含有至少1種下述一般式(1)R (6-m) Si 2 X m (1)(R為碳數1~12之非取代或取代一價烴基,X為烷氧基

  • 含矽防反射膜形成用組成物、含矽防反射膜、以及使用其之基板加工中間體及被加工基板之加工方法

    公告號:200732383 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

    1.一種含矽防反射膜形成用組成物,其係在使用波長200nm以下曝光光之光微影術法中,其特徵為,防反射膜形成用組成物係含有,將含有至少1種下述一般式(1)R (6-m) Si 2 X m (1)(R為碳數1~20之非取代或取代之一價烴基,X為烷氧基,烷醯氧基或鹵原子,R、X各可為相同取代基或相異取代基

  • 新穎的雜環式化合物,其中間體的製造方法,及其用途

    公告號:I525095 - 日本化藥股份有限公司 NIPPON KAYAKU KABUSHIKI KAISHA 日本 JP

    1.一種雜環式化合物,其為下述式(1)所示雜環式化合物;(式中,R 1 及R 2 表示氫原子、C2-C16烷基,或芳基中任一,但R 1 各獨立表示C2-C16烷基或芳基時,R 2 表示氫原子或各獨立表示芳基,R 1 表示氫原子時,R 2 各獨立表示芳基)。2.如申請專利範圍第1項之雜環式化合物,

  • 烯烴高分子雙官能基中間體具環形N-醯基尿素基可作為多段式硬化反應之封閉式異氰酸酯基、其製法及其應用

    公告號:I515214 - 新力美科技股份有限公司 DSM-AGI CORPORATION 臺北市士林區中山北路6段88號6樓 TW

    1.一種下式(I)之帶有烯烴不飽和基之含N-醯基尿素隱性化異氰酸酯基之環狀寡聚物,式(I)中,R1表示氫或甲基;R2表示乙烯基或乙炔基;R3表示伸芳基或伸脂族基,該等可為未經取代亦可經C1-6烷基單取代或多取代;A為式-NH-或-O-;B為不存在、C2-5伸烷基羰氧基、C2-5伸烯基羰氧基、未取代或

  • 環狀碳二醯亞胺化合物之中間體的製造方法

    公告號:I511945 - 帝人股份有限公司 TEIJIN LIMITED 日本 JP

    1.一種以下述式(B)表示的胺體之製造方法,其係包含使含有具鹵芳烴骨架之化合物之以下述式(A)表示的硝基體,在金屬觸媒及鹼性化合物的存在下還原的步驟;在此,該具鹵芳烴骨架之化合物的含量相對於該硝基體1當量,為0.001~0.5當量,該金屬觸媒之量相對於該硝基體,為0.05~5wt%,該鹼性化合物之量

  • 不對稱二肟酯化合物及其中間體與其製造方法及應用

    公告號:I495631 - 北京英力科技發展有限公司 INSIGHT HIGH TECHNOLOGY CO., LTD. 中國大陸 CN

    1.一種不對稱二肟酯化合物,為下列結構通式I:其中,該Ar1選自被該X1所取代的C6-C20鄰亞芳基或C3-C20鄰亞雜芳基,該C6-C20鄰亞芳基或該C3-C20鄰亞雜芳基以相鄰的兩個原子與該Y1和羰基相連構成並環結構,其餘原子上的取代基各自由下列所構成的群組選出:氫原子、鹵素原子、C1-C12烷

  • 新穎吲唑衍生物或其鹽及其製造中間體、以及使用其之抗氧化劑

    公告號:I476188 - 宇部興產股份有限公司 UBE INDUSTRIES, LTD. 日本 JP

    1.一種抗氧化劑,其係含有至少一種下述式(1)所表示之化合物或其鹽作為有效成分2.一種如下述式(1)所表示之化合物或其鹽3.一種如下述式(2)所表示之化合物或其鹽,(式中,Boc表示t-丁氧羰基;THP表示四氫吡喃基)。

  • 噻吩化合物及其中間體的製造方法

    公告號:I476187 - 日產化學工業股份有限公司 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. 日本 JP

    1.一種噻吩化合物或其中間體的製造方法,其特徵係使式(1)(式中R 1 表示C6-10芳基、C1-5雜芳基(該C6-10芳基及C1-5雜芳基,為無取代或被鹵素原子、羧基、硝基、甲醯基、氰基、羥基、被保護的羥基、硫醇基、胺基、C1-10烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C1-10烷氧基、C1-10烷基

  • 含有具血小板生成素受體激動劑作用之光學活性化合物之醫藥組成物及其中間體

    公告號:I422371 - 鹽野義製藥股份有限公司 SHIONOGI & CO., LTD. 日本 JP

    1.一種醫藥組成物,內含如下式所示之光學活性化合物、或其製藥容許鹽為有效成分,2.如申請專利範圍第1項之醫藥組成物,其係血小板生成素受體作用藥。3.如申請專利範圍第1項之醫藥組成物,其係血小板產生調節劑。4.一種粉末X射線繞射之主峰之繞射角2 θ為17.8、21.1、22.5、23.3、

  • 製備2-吡啶基乙基羧醯胺衍生物之中間體化合物

    公告號:I379826 - 拜爾科學公司 BAYER CROPSCIENCE S. A. 法國 FR

    1.一種通式(II)之化合物,其中:-R 1 為氫原子;-R 2 為氫原子;-A代表苯基,其於鄰位經氯或三氟甲基取代;且-Ac代表乙醯基。

  • 具有抗癌性之化合物及其中間體,及其製造方法

    公告號:I363056 - 日本塔希寶股份有限公司 TAHEEBO JAPAN CO., LTD. 日本 JP

    1.一種以式(III)[式中,R為C1-C6烷基]所表示之化合物之製造方法,其特徵在於:使以式(I)所表示之化合物與以式(II)[式中,R為C1-C6之烷基,X 1 及X 2 分別為鹵素]所表示之化合物,於選自吡啶、4-二甲胺基吡啶(DMAP)、喹啉、異喹啉、三乙胺、二異丙基乙胺、1,8-二氮雜雙環