高壓位準轉換電路 HIGH-VOLTAGE LEVEL CONVERSION CIRCUIT
申請人· 奕力科技股份有限公司 ILI TECHNOLOGY CORP. 新竹縣竹北市台元街38號8樓 TW


專利信息

專利名稱 高壓位準轉換電路
公告號 I517583
公告日 2016/01/11
證書號 I517583
申請號 2014/05/21
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 劉熙恩 LIU, HIS EN; 葉松銚 YEH, SUNG YAU
申請人 奕力科技股份有限公司 ILI TECHNOLOGY CORP. 新竹縣竹北市台元街38號8樓 TW
代理人 莊志強
優先權
參考文獻 TW201251329A1; US7741882B1
審查人員 蘇齊賢

專利摘要

本發明提供一種高壓位準轉換電路,至少包括第一NMOS電晶體、第一PMOS電晶體、第二NMOS電晶體、第二PMOS電晶體、第三PMOS電晶體、第三NMOS電晶體、第四PMOS電晶體以及第四NMOS電晶體,用以接收具有第一位準電壓與第二位準電壓的輸入訊號,並將輸入訊號轉換成第三位準電壓與第四位準電壓的輸出訊號。相較於傳統的高壓位準轉換電路,本發明提供的高壓位準轉換電路占用較少的電路面積。


專利範圍

1.一種高壓位準轉換電路,包括:一第一NMOS電晶體,該第一NMOS電晶體的閘極連接一輸入端用以接收一輸入訊號,該第一NMOS電晶體的源極連接至一第一位準電壓,其中,該輸入訊號具有該第一位準電壓及一第二位準電壓;一第一PMOS電晶體,該第一PMOS電晶體的閘極連接該輸入端以接收該輸入訊號,該第一PMOS電晶體的源極連接至該第二位準電壓;一第二NMOS電晶體,該第二NMOS電晶體的汲極連接該第一PMOS電晶體的汲極,該第二NMOS電晶體的閘極與汲極相連接,以使該第二NMOS電晶體導通時的跨壓至少為一臨界電壓;一第二PMOS電晶體,該第二PMOS電晶體的汲極連接該第一NMOS電晶體的汲極,該第二PMOS電晶體的閘極與汲極相連接,以使該第二PMOS電晶體導通時的跨壓至少為該臨界電壓;一第三PMOS電晶體,該第三PMOS電晶體的汲極連接至該第二PMOS電晶體的源極,該第三PMOS電晶體的源極連接至一第三位準電壓;一第三NMOS電晶體,該第三NMOS電晶體的汲極連接至該第二NMOS電晶體的源極,該第三NMOS電晶體的源極連接至一第四位準電壓;一第四PMOS電晶體,該第四PMOS電晶體的閘極連接至該第一NMOS電晶體的汲極,該第四PMOS電晶體的源極接收該第三位準電壓,該第四PMOS電晶體的汲極連接至該第三NMOS電晶體的閘極;以及一第四NMOS電晶體,該第四NMOS電晶體的閘極連接至該第一PMOS電晶體的汲極,該第四NMOS電晶體的源極接收該第四位準電壓,該第四NMOS電晶體的汲極連接至該第三PMOS電晶體的閘極;其中該第一位準電壓值小於該第二位準電壓值,該第二位準電壓值小於該第三位準電壓值,該第四位準電壓值小於該第一位準電壓值;以及其中該第四PMOS電晶體的源極連接至該第三位準電壓;該第四NMOS電晶體的源極連接至該第四位準電壓;該第四NMOS電晶體的汲極連接至該第四PMOS電晶體的汲極用以作為一輸出端,該輸出端產生一高壓位準轉換訊號。 2.根據請求項第1項之高壓位準轉換電路,其中當該輸入訊號由該第一位準電壓轉換到該第二位準電壓時,該第一NMOS電晶體開啟而該第一PMOS電晶體為關閉,該第一NMOS電晶體之汲極的電壓逐漸拉低至該第一位準電壓,且該第四PMOS電晶體開啟,用以拉高該輸出端的電壓,導致該第三NMOS電晶體開啟,使得該第一PMOS電晶體的汲極的電壓拉低至該第四位準


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