發光二極體結構、發光二極體基板及其製作方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE, LIGHT EMITTING DIODE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請人· 隆達電子股份有限公司 LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION 新竹市科學園區工業東三路3號 TW


專利信息

專利名稱 發光二極體結構、發光二極體基板及其製作方法
公告號 I517439
公告日 2016/01/11
證書號 I517439
申請號 2013/08/13
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 余威徵 YU, WEICHANG; 張謙成 CHANG, CHIENCHENG; 徐智生 HSU, CHIHSHENG
申請人 隆達電子股份有限公司 LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION 新竹市科學園區工業東三路3號 TW
代理人 蔡坤財; 李世章
優先權
參考文獻 TW200921936A; TW201117283A; US2001/0029086A1
審查人員 林頎鵬

專利摘要

本發明提出一種發光二極體基板的製作方法。此方法包括下列步驟:提供一奈米圖案化基板,奈米圖案化基板之圖案包括有彼此間隔的複數凸部及複數具有深度d1之第一凹部;形成複數保護結構包覆每一凸部,並裸露出每一第一凹部的表面;施加一非等向性蝕刻處理,使未被保護結構包覆之每一第一凹部的表面進一步被蝕刻,形成複數深度d2之第二凹部,且d2>d1。


專利範圍

1.一種發光二極體基板的製作方法,包括:提供一奈米圖案化基板,該奈米圖案化基板之圖案包括有彼此間隔的複數凸部及複數具有深度d1之第一凹部;形成複數保護結構包覆該些凸部的上表面及側表面,並裸露出該些第一凹部的表面;以及施加一非等向性蝕刻處理,使未被該些保護結構包覆之該些第一凹部的表面進一步被蝕刻,形成複數深度d2之第二凹部,且d2>d1。 2.如請求項1所述之發光二極體基板的製作方法,其中該奈米圖案化基板形成圖案化的方法為奈米壓印法(Nano Imprint Lithography)。 3.如請求項2所述之發光二極體基板的製作方法,其中該些保護結構係以自組懸吊式磊晶技術(Maskless Pendeo-epitaxy)方法形成。 4.如請求項3所述之發光二極體基板的製作方法,其中該些凸部頂端之寬度為w1,該些保護結構之寬度為w2,且0


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統