在背側通孔中直接生長鑽石用於GaN高電子遷移率電晶體裝置 DIRECT GROWTH OF DIAMOND IN BACKSIDE VIAS FOR GaN HEMT DEVICES
申請人· 諾斯拉普葛蘭門系統公司 NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION 美國 US


專利信息

專利名稱 在背側通孔中直接生長鑽石用於GaN高電子遷移率電晶體裝置
公告號 I517383
公告日 2016/01/11
證書號 I517383
申請號 2013/03/15
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 干彬 文森 GAMBIN, VINCENT; 桑德胡 雷珍達 SANDHU, RAJINDER R.; 波斯特 班傑明 POUST, BENJAMIN; 武托威茲 麥克 WOJTOWICZ, MICHAEL
申請人 諾斯拉普葛蘭門系統公司 NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION 美國 US
代理人 林志剛
優先權 美國 13/425,245 20120320
參考文獻 TW200717796A; US6497763B2; US2002/0117695A1; US2005/0067716A1
審查人員 王人毅

專利摘要

一種GaN高電子遷移率電晶體(HEMT)裝置,具有包含上表面及底表面的碳化矽基底,其中,基底又包含通孔,通孔形成為穿過該底表面及進入基底中。裝置包含設於基底的上表面上之複數磊晶層、設於複數磊晶層上的複數裝置層、以及設於通孔之內的鑽石層。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:基底,包含上表面及底表面,該基底又包含通孔,該通孔形成為穿過該底表面並進入該基底中,其中,鑽石至少部份設於該基底內的該通孔中;複數GaN磊晶層,直接生長在該基底的該上表面上;以及複數裝置層,生長於該複數GaN磊晶層上。 2.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該鑽石僅設於該通孔之內。 3.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該鑽石設為該基底的該底表面上的層。 4.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該鑽石完全填充該通孔。 5.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該鑽石僅部份填充該通孔。 6.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該通孔完全延伸通過該基底。 7.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該通孔僅部份延伸通過該基底。 8.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該裝置是GaN高電子遷移率電晶體裝置,而該基底是碳化矽基底。 9.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該鑽石是鑽石純度不同的多層鑽石層,其中,該等最高純度鑽石層最接近該基底的該上表面。 10.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該鑽石是階化鑽石層,該階化鑽石層以鑽石純度階化,其中,最高純度的鑽石最接近該基底的該上表面。 11.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該通孔具有的寬度與該等裝置層的寬度在尺寸上大約相同。 12.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,該鑽石是多晶鑽石。 13.一種GaN高電子遷移率電晶體(HEMT)裝置,包括:碳化矽基底,包含上表面及底表面,該基底又包含通孔,該通孔形成為穿過該底表面並進入該基底中;複數GaN磊晶層,直接生長在該基底的該上表面上;複數裝置層,生長於該複數GaN磊晶層上;以及鑽石層,設於該通孔之內。 14.如申請專利範圍第13項之裝置,其中,該通孔具有的寬度與該等裝置層的寬度在尺寸上大約相同。 15.如申請專利範圍第13項之裝置,其中,該鑽石層是多晶鑽石層。 16.如申請專利範圍第13項之裝置,其中,該鑽石層僅設於該通孔之內。 17.如申請專利範圍第13項之裝置,其中,該鑽石層設為該基底的該底表面上的層。 18.如申請專利範圍第13項之裝置,其中,該鑽石層完全填充該通孔。 19.如申請專利範圍第13項之裝置,其中,該鑽石層僅部份填充該通孔。 20.一種半導體裝置,包括:基底,包含上表面及底表面,該基底又包含通孔,該通孔形成為穿過該底表面並進入該基底中,其中,鑽石設於該基


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統