覆晶堆疊封裝結構及其製作方法 FLIP-CHIP PACKAGE-ON-PACKAGE STRUCTURE AND ITS FABRICATION METHOD
申請人· 恆勁科技股份有限公司 PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD. 新竹縣湖口鄉蘭州街180號 TW


專利信息

專利名稱 覆晶堆疊封裝結構及其製作方法
公告號 I517343
公告日 2016/01/11
證書號 I517343
申請號 2014/03/25
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 許詩濱 HSU, SHIH PING
申請人 恆勁科技股份有限公司 PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD. 新竹縣湖口鄉蘭州街180號 TW
代理人 林坤成; 林瑞祥
優先權
參考文獻 TW201342502A
審查人員 張靖輝

專利摘要

本發明揭示一種覆晶堆疊封裝結構及其製作方法。該覆晶堆疊封裝結構包含:一絕緣保護層;一導線層,包含至少一金屬走線,並設置於該絕緣保護層上;以及一第一封裝單元,包含複數個金屬柱狀物、一第一電路晶片、及一第一封膠,並設置於該導線層上,該等金屬柱狀物設置於一導柱區內並電性連接該至少一金屬走線,該第一電路晶片設置於一元件區內並電性連接該至少一金屬走線,該第一封膠充填於該第一封裝單元內該等金屬柱狀物以及該第一電路晶片以外的其餘部分。


專利範圍

1.一種覆晶堆疊封裝結構,其包括:一絕緣保護層;一導線層,包含至少一金屬走線,並設置於該絕緣保護層上;以及一第一封裝單元,包含複數個金屬柱狀物、一第一電路晶片、及一第一封膠,並設置於該導線層上,該等金屬柱狀物設置於一導柱區內並電性連接該至少一金屬走線,該第一電路晶片設置於一元件區內並電性連接該至少一金屬走線,該第一封膠充填於該第一封裝單元內該等金屬柱狀物以及該第一電路晶片以外的其餘部分。 2.如申請專利範圍第1項所述之覆晶堆疊封裝結構,進一步包括一第二封裝單元,其包含一第二電路晶片及一第二封膠,並設置於該第一封裝單元上,該第二電路晶片電性連接該等金屬柱狀物,且該第二封膠充填於該第二封裝單元內該第二電路晶片以外的其餘部分。 3.如申請專利範圍第1項所述之覆晶堆疊封裝結構,其中,該導線層進一步包含一介電材料,其充填於該導線層內該至少一金屬走線以外的其餘部分。 4.如申請專利範圍第3項所述之覆晶堆疊封裝結構,其中,該介電材料與該第一封膠具有相同或不同的組成材質。 5.如申請專利範圍第1項所述之覆晶堆疊封裝結構,其中,該等金屬柱狀物為銅柱。 6.如申請專利範圍第1項所述之覆晶堆疊封裝結構,其中,該第一封膠的組成材質包含酚醛基樹脂(Novolac-Based Resin)、環氧基樹脂(Epoxy-Based Resin)、或矽基樹脂(Silicone-Based Resin)。 7.如申請專利範圍第2項所述之覆晶堆疊封裝結構,其中,該第二封膠的組成材質包含酚醛基樹脂、環氧基樹脂、或矽基樹脂。 8.如申請專利範圍第1項所述之覆晶堆疊封裝結構,其中,該第一電路晶片具有複數個第一導電接腳,其連接該至少一金屬走線。 9.如申請專利範圍第2項所述之覆晶堆疊封裝結構,其中,該第二電路晶片具有複數個第二導電接腳,其連接該等金屬柱狀物。 10.如申請專利範圍第1項所述之覆晶堆疊封裝結構,其中,複數個電性連接元件設置於該絕緣保護層下,並電性連接該至少一金屬走線。 11.一種覆晶堆疊封裝結構之製作方法,包括下列步驟:(A)提供一承載基板;(B)形成一導線層於該承載基板上,該導線層包含至少一金屬走線;(C)形成複數個金屬柱狀物於該導線層上,使得該等金屬柱狀物電性連接該至少一金屬走線;(D)設置一第一電路晶片於該導線層上,使得該第一電路晶片電性連接該至少一金屬走線,且該第一電路晶片與該等金屬柱狀物彼


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統