利用光酸產生劑製造半導體元件之方法 A METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES USING A PHOTO ACID GENERATOR
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號


專利信息

專利名稱 利用光酸產生劑製造半導體元件之方法
公告號 200632546
公告日
證書號
申請號 2005/12/01
國際專利分類號
公報卷期 04-18
發明人 施仁傑 SHIH, JEN CHIEH
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號
代理人 蔡坤財
優先權 美國 11/070,396 20050301
參考文獻
審查人員

專利摘要

利用光酸產生劑製造半導體元件之方法簡圖

一種製造一半導體元件之方法,於一實施例中,該方法包括提供一基底,於該基底上形成一光酸產生層,其中該光酸產生層包括至少一光酸產生劑,以及於該光酸產生層上形成一光阻層。


專利範圍

1.一種半導體元件之製作方法,包含:提供一基底;於該基底上形成一第一光酸產生(photo acid generator,PAG)層,其中該第一光酸產生層包括至少一光酸產生劑;以及於該第一光酸產生層上形成一光阻層。
2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第一光酸產生層係為一底部抗反射(bottom anti-reflective coating,BARC)層。
3.如申請專利範圍第1項所述之方法,進一步包含:遮罩該光阻層;曝光該光阻層,並且利用該遮罩步驟定義該第一光酸產生層;對該曝光之光阻層以及該第一光酸產生層進行一熱烘烤步驟;以及顯影該曝光之光阻層。
4.如申請專利範圍第1項所述之方法,進一步包含於該光阻層上形成一第二光酸產生層,其中該第二光酸產生層至少包括一光酸產生劑。
5.如申請專利範圍第4項所述之方法,其中該第二光酸產生層係為一頂部抗反射(top anti-reflective coating,TARC)層。
6.如申請專利範圍第4項所述之方法,進一步包含:遮罩該第二光酸產生層;曝光該第二光酸產生層、該光阻層,並且利用該遮罩步驟定義該第一光酸產生層;對該第二光酸產生層、該光阻層,以及該第一光酸產生層進行一熱烘烤步驟;以及顯影該曝光之光阻層。
7.如申請專利範圍第6項所述之方法,進一步包含於該顯影步驟之前移除該第二光酸產生層。
8.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第一光酸產生層包括該至少一光酸產生劑溶解於一溶劑中。
9.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第一光酸產生層包含該至少一光酸產生劑摻合(blended)於一聚合物中。
10.如申請專利範圍第9項所述之方法,其中該聚合物係可顯影的(developable)。
11.如申請專利範圍第9項所述之方法,其中該聚合物係非可顯影的(non-developable)
12.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該至少一光酸產生劑包含一離子組成(ionic component)。
13.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該至少一光酸產生劑包含一非離子組成(non-ionic component)。
14.一種半導體元件之製作方法,包含:提供一基底;於該基底上形成一光阻層;以及於該光阻層上形成一光酸產生(photo acid generator,PAG)層,其中該光酸產生層包括至少一光酸產生劑。
15.如申請專利範圍第14項所述之方法,其中該光酸產生層係為一頂部抗反射(top anti-reflective coating,TARC)層。
16.如申請專利範圍第14項所述之方法,進一步包含:遮罩該光酸產生層;曝光該光酸產生層,並且利用該遮罩步驟定義該光阻層;對該曝光之光酸產生層以及該光阻層進行一熱烘烤步驟;以及顯影該曝光之光阻層。
17.如申請專利範圍第16項所述之方法,進一步包含於該顯影步驟之前移除該光酸產生層。
18.如申請專利範圍第14項所述之方法,其中該光酸產生層包括該至少一光酸產生劑溶解於一溶劑中。
19.如申請專利範圍第14項所述之方法,其中該光酸產生層包含該至少一光酸產生劑摻合(blended)於一聚合物中。
20.如申請專利範圍第19項所述之方法,其中該聚合物係可顯影的(developable)。
21.如申請專利範圍第14項所述之方法,其中該至少一光酸產生劑包含一離子組成(ionic component)。
22.如申請專利範圍第14項所述之方法,其中該至少一光酸產生劑包含一非離子組成(non-ionic component)。
23.一種半導體元件之製作方法,包含:提供一基底;以及於該基底上形成一抗反射(anti-reflection coating,ARC)層,其中該抗反射層包括一光酸產生劑(photo acid generator,PAG)。
24.如申請專利範圍第23項所述之方法,進一步包含於該抗反射層上形成一光阻層。
25.如申請專利範圍第24項所述之方法,進一步包含於該光阻層上形成一光酸產生(PAG)層,其中該光酸產生層包括至少一光酸產生劑。
26.如申請專利範圍第23項所述之方法,進一步包含於形成該抗反射層之前,先於該基底上形成一光阻層。


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
I303080 利用光酸產生劑製造半導體元件之方法 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號
200501302 利用一測試結構製造半導體元件之方法 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. 荷蘭
558819 引線框及其製造方法以及使用該引線框來製造半導體元件之方法 新光電氣工業股份有限公司 日本
I222730 引線框及其製造方法以及使用該引線框來製造半導體元件之方法 新光電氣工業股份有限公司 SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD. 日本
200408315 用於產生氣體電漿之方法與裝置、用於產生電漿之氣體組成物以及使用氣體組成物來製造半導體元件之方法 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 韓國 新動力電漿股份有限公司 NEW POWER PLASMA CO., LTD 大韓民國
200509206 產生光罩失真資料之方法,曝光方法及製造半導體元件之方法 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本
200904265 用於產生氣體電漿之方法與裝置、用於產生電漿之氣體組成物以及使用氣體組成物來製造半導體元件之方法(二) 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韓 新動力電漿股份有限公司 NEW POWER PLASMA CO., LTD 南韓
I226975 用於移除光阻之稀釋劑組成物,使用該組成物再處理用於製造半導體元件之晶圓的方法及製造半導體元件之方法 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 韓國
I249775 產生光罩失真資料之方法,曝光方法及製造半導體元件之方法 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本
I323142 用於產生氣體電漿之方法與裝置、用於產生電漿之氣體組成物以及使用氣體組成物來製造半導體元件之方法 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韓 KR; 新動力電漿股份有限公司 NEW POWER PLASMA CO., LTD 南韓 KR
I323143 用於產生氣體電漿之方法與裝置、用於產生電漿之氣體組成物以及使用氣體組成物來製造半導體元件之方法(二) 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韓 KR; 新動力電漿股份有限公司 NEW POWER PLASMA CO., LTD 南韓 KR
200511408 用於雷射光束製造之裝置,製造光罩,用於雷射光束製造之方法,用於製造半導體元件之方法及半導體元件 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本
200619836 利用一抗反射層製造半導體元件之系統與方法 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號
462105 氣體蝕刻劑組成物以及用以同時蝕刻氧化矽與聚矽之方法,以及用之來製造半導體元件之方法 三星電子股份有限公司 韓國
I222103 利用多晶矽薄膜製造半導體裝置之方法 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本
I240319 用於雷射光束製造之裝置,製造光罩,用於雷射光束製造之方法,用於製造半導體元件之方法及半導體元件 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本
I286267 利用一抗反射層製造半導體元件之系統與方法 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號
200300581 用於製造半導體元件之方法以及基材加工裝置 日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 日本
200305971 運用淺溝隔離製程來製造半導體元件之方法 NEC電子股份有限公司 NEC ELECTRONICS CORPORATION 日本

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統