半導體結構 SEMICONDUCTOR STRUCTURE
申請人· 明興光電股份有限公司 UNIDISPLAY INC. 新竹縣竹東鎮中興路4段669號3樓 TW


專利信息

專利名稱 半導體結構
公告號 I517316
公告日 2016/01/11
證書號 I517316
申請號 2013/02/08
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 蔡岳如 TSAI, YUEH JU; 王威捷 WANG, WEI JIE; 林聖賢 LIN, SHENG HSIEN
申請人 明興光電股份有限公司 UNIDISPLAY INC. 新竹縣竹東鎮中興路4段669號3樓 TW
代理人 詹銘文; 葉璟宗
優先權
參考文獻 US2010/0044853A1; US2011/0089517A1; US2012/0119246A1
審查人員 湯欽全

專利摘要

一種半導體結構,其包括基材、多個導電柱以及多個散熱溝槽。基材具有相對的第一表面與第二表面。導電柱配置於基材中。各導電柱由第一表面延伸至第二表面。散熱溝槽位於第一表面與第二表面上,且各散熱溝槽位於相鄰兩個導電柱之間。


專利範圍

1.一種半導體結構,包括:一基材,具有相對的一第一表面與一第二表面;多個導電柱,配置於該基材中,各該導電柱由該第一表面延伸至該第二表面;以及多個散熱溝槽,位於該第一表面與該第二表面上,且各該散熱溝槽位於相鄰兩個導電柱之間,其中位於該第一表面與該第二表面上的該些散熱溝槽彼此不導通。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體結構,其中該些散熱溝槽的深度小於該基材之厚度的一半。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體結構,更包括:一第一重佈線圖案,配置於該基材的該第一表面上,且與該導電柱電性連接;以及一第二重佈線圖案,配置於該基材的該第二表面上,且與該導電柱電性連接。 4.如申請專利範圍第3項所述之半導體結構,其中該第一表面上的該些散熱溝槽並位於該第一重佈線圖案以外的區域,該第二表面上的該些散熱溝槽並位於該第二重佈線圖案以外的區域,且該些散熱溝槽與該第一重佈線圖案或該第二重佈線圖案相隔一距離。 5.如申請專利範圍第4項所述之半導體結構,其中該第一表面上的該些散熱溝槽的面積佔該第一重佈線圖案以外的區域的面積50%以下,且該第二表面上的該些散熱溝槽的面積佔該第二重佈線圖案以外的區域的面積50%以下。 6.如申請專利範圍第3項所述之半導體結構,更包括:多個第一接點,位於該第一重佈線圖案上,且該第一重佈線圖案位於該些第一接點與該導電柱之間;以及多個第二接點,位於該第二重佈線圖案上,且該第二重佈線圖案位於該些第二接點與該導電柱之間。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統