半導體封裝中的CTE適配 CTE ADAPTION IN A SEMICONDUCTOR PACKAGE
申請人· 英特爾德國公司 INTEL DEUTSCHLAND GMBH 德國 DE


專利信息

專利名稱 半導體封裝中的CTE適配
公告號 I517315
公告日 2016/01/11
證書號 I517315
申請號 2013/05/02
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 梅爾 索斯登 MEYER, THORSTEN; 歐菲若 吉拉德 OFNER, GERALD; 史托克 史蒂芬 STOECKL, STEPHAN
申請人 英特爾德國公司 INTEL DEUTSCHLAND GMBH 德國 DE
代理人 林志剛
優先權 美國 13/494,324 20120612
參考文獻 TW234778; TW200839998A; US2006/0001158A1; US2009/0014871A1; US2009/0102035A1; US2010/0307803A1
審查人員 郭德豐

專利摘要

本發明涉及半導體封裝中的CTE適配。提出了一種諸如晶圓級封裝(WLP)裝置之類的裝置,其中,電介質層被佈置在半導體裝置的表面和重分佈層(RDL)的表面之間。該電介質層可以具有延伸穿過電介質層的至少一個互連。該電介質層可以於垂直於半導體裝置的表面的方向上具有小於臨限值的熱膨脹係數(CTE)值,以及大於另一個臨限值的楊氏模量。該電介質層在平行於半導體裝置的表面的方向上在面對RDL的電介質層的表面處可以具有大於另一個臨限值的CTE值。


專利範圍

1.一種半導體封裝裝置,包括:半導體裝置,在該半導體裝置的第一表面上具有至少一個電接觸,其中該半導體裝置在該第一表面具有平面內(in-plane)熱膨脹係數(CTE)值;導電重分佈層;單一電介質層,包括電介質材料並被佈置在該半導體裝置的該第一表面和該重分佈層的表面之間,該電介質層具有延伸穿過該電介質層並且將該至少一個電接觸電耦合於該重分佈層的至少一個互連,電耦合於該重分佈層的至少一個焊球,其中該重分佈層被佈置在該電介質層和該至少一個焊球之間;電耦合於該至少一個焊球的電路板,其中該至少一個焊球被佈置在該重分佈層和該電路板之間,該電路板在該電路板接觸該至少一個焊球的表面處,具有平面內CTE值;其中,該電介質層的該電介質材料於垂直於該第一表面的方向上具有CTE值和楊氏模量,其中,該電介質層的CTE值小於32ppm每攝氏度的第一臨限值,其中,該電介質層的楊氏模量大於25GPa的第二臨限值,其中,該電介質層的該電介質材料在平行於該第一表面的方向上面對該第一表面的表面處具有第一CTE值,以及在平行於該第一表面的方向上面對該重分佈層的表面的表面處具有第二CTE值,其中該電介質層的該電介質材料的該第一CTE值小於4ppm每攝氏度,其中該電介質層的該電介質材料的該第二CTE值大於6ppm每攝氏度,及其中該電介質材料的該第二CTE值係介於該半導體裝置的該第一表面的該平面內CTE值與該電路板接觸該至少一個焊球的表面的該平面內CTE值之間。 2.如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝裝置,其中,該重分佈層是扇入重分佈層和扇出重分佈層之一。 3.如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝裝置,其中,該電介質材料為非鹵化低CTE雙馬來醯亞胺三嗪(BT)樹脂。 4.如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝裝置,其中,該電介質材料為包括樹脂的環氧樹脂。 5.如申請專利範圍第4項所述的半導體封裝裝置,其中,該包括樹脂的環氧樹脂為環氧酚醛或氰酸酯環氧樹脂。 6.如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝裝置,其中,該電介質層的厚度小於100微米。 7.一種半導體封裝裝置,包括:半導體裝置,在該半導體裝置的第一表面上具有至少一個電接觸,其中該半導體裝置在該第一表面具有平面內熱膨脹係數(CTE)值;導電重分佈層;以及單一電介質層,包含電介質材料並被佈置在該第一表面和該重分佈層的表面之間,該電介質層具有延伸穿過該電介質層並且


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統