非揮發性記憶體裝置及其操作和製造方法 NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND FABRICATING METHODS THEREOF
申請人· 群聯電子股份有限公司 PHISON ELECTRONICS CORP. 苗栗縣竹南鎮群義路1號 TW


專利信息

專利名稱 非揮發性記憶體裝置及其操作和製造方法
公告號 I517308
公告日 2016/01/11
證書號 I517308
申請號 2013/12/26
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 渡邊浩志 HIROSHI, WATANABE
申請人 群聯電子股份有限公司 PHISON ELECTRONICS CORP. 苗栗縣竹南鎮群義路1號 TW
代理人 詹銘文; 葉璟宗
優先權 美國 13/969,626 20130819
參考文獻 TW200746399A; TW200802814A; TW201142842A; US7778084B2; US8427878B2; US20060072359A1
審查人員 郭德豐

專利摘要

本發明提供一種具有鋸齒形主體配線的非揮發性記憶體裝置。第一字元線和第二字元線設置在基底上,週期性地佈置且在第一方向上延伸。第一多晶矽層間介電膜設置在基底上且分別位於第一字元線下方。第二多晶矽層間介電膜設置在基底上且分別位於第二字元線下方,其中第一多晶矽層間介電膜比第二多晶矽層間介電膜薄。浮置閘極設置在基底與第一多晶矽層間介電膜和第二多晶矽層間介電膜中的每一者之間。穿隧氧化物膜設置在基底與浮置閘極中的每一者之間。位元線設置在第一字元線和第二字元線上方,且沿著與第一方向不同的第二方向延伸。


專利範圍

1.一種非揮發性記憶體裝置,包括:一井區,設置在一基底中;多條第一字元線和多條第二字元線,設置在所述基底上,週期性地佈置且在一第一方向上延伸;多個多晶矽層間介電膜,設置在所述基底上且分別位於所述多條第一字元線和所述多條第二字元線下方;多個浮置閘極,設置在所述井區與所述多個多晶矽層間介電膜之間;以及多個穿隧氧化物膜,設置在所述井區與所述多個浮置閘極之間,其中從所述第一字元線到所述基底的一第一距離小於從所述第二字元線到所述基底的一第二距離。 2.如申請專利範圍第1項所述的非揮發性記憶體裝置,其中從所述第一字元線的頂部到所述基底的一第三距離小於或等於從所述第二字元線的底部到所述基底的一第四距離。 3.如申請專利範圍第1項所述的非揮發性記憶體裝置,其中所述多個多晶矽層間介電膜包括:多個第一多晶矽層間介電膜,設置在所述基底上且分別位於所述第一字元線下方;以及多個第二多晶矽層間介電膜,設置在所述基底上且分別位於所述第二字元線下方,其中所述多個第一多晶矽層間介電膜的厚度小於所述多個第二多晶矽層間介電膜的厚度。 4.如申請專利範圍第1項所述的非揮發性記憶體裝置,其中所述多個浮置閘極包括:多個第一浮置閘極,設置在所述基底上且分別位於所述多條第一字元線下方;以及多個第二浮置閘極,設置在所述基底上且分別位於所述多條第二字元線下方,其中所述多個第一浮置閘極的厚度小於所述多個第二浮置閘極的厚度。 5.如申請專利範圍第1項所述的非揮發性記憶體裝置,更包括:多條位元線,設置在所述第一字元線和所述第二字元線上方,且沿著與所述第一方向不同的一第二方向延伸。 6.如申請專利範圍第5項所述的非揮發性記憶體裝置,其中所述多條位元線包括多條第一位元線和多條第二位元線,且從所述第一位元線到所述基底的一第五距離小於從所述第二位元線到所述基底的一第六距離。 7.一種用於操作非揮發性記憶體裝置的方法,所述非揮發性記憶體裝置具有:一基底、一井區、多個第一多晶矽層間介電膜、多個第二多晶矽層間介電膜、設置在所述基底上的多條第一字元線和多條第二字元線,以及一穿隧氧化物膜,且從所述第一字元線到所述基底的一第一距離小於從所述第二字元線到所述基底的一第二距離,所述方法包括:將一第一操作電壓施加到所述第一字元線中的至少一者;以及將一第二操作電壓施加到所述第二字元線中的至少一者。 8.如申請專利範圍第7項所述的用於操作非揮發性記憶體


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統