等離子處理裝置及其去夾持裝置和方法
申請人· 中微半導體設備(上海)有限公司 中國大陸 CN


專利信息

專利名稱 等離子處理裝置及其去夾持裝置和方法
公告號 I517349
公告日 2016/01/11
證書號 I517349
申請號 2014/04/23
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 梁潔; 萬磊
申請人 中微半導體設備(上海)有限公司 中國大陸 CN
代理人 林志青
優先權 中國大陸 201310145466.6 20130424
參考文獻 US6340639B1; US8093072B2; US8377270B2; US2007/0218215A1; US2011/0303362A1
審查人員 李景松

專利摘要

本發明提供了一種等離子處理裝置及其去夾持裝置和方法。其中,所述方法包括如下步驟:步驟a. 將升舉裝置連接至放電電路,以去除所述升舉裝置上的剩餘電荷;步驟b. 斷開所述升舉裝置和所述放電電路的連接;步驟c. 提升升舉裝置使得所述升舉裝置接觸於所述基片的底面,使得基片上的殘餘電荷傳輸至升舉裝置;步驟d. 降低升舉裝置以斷開升舉裝置和基片背面的連接,並將升舉裝置再次連接至放電電路,以去除所述升舉裝置和基片上的殘餘電荷。本發明能夠防止基片和升舉裝置之間的電弧放電。


專利範圍

1.一種用於在包括靜電夾盤的等離子處理裝置中將基片去夾持的 方法,其中,所述等離子處理裝置包括一放置所述基片的基台,在所述基台中包括一靜電夾盤,其用於夾持住基片以在所述等離子處理裝置中進行制程,其中,所述方法包括如下步驟: 步驟a. 將升舉裝置連接至放電電路,以去除所述升舉裝置上的剩餘電荷; 步驟b. 斷開所述升舉裝置和所述放電電路的連接; 步驟c. 提升升舉裝置使得所述升舉裝置接觸於所述基片的底面,使得基片上的殘餘電荷傳輸至升舉裝置; 步驟d. 降低升舉裝置以斷開升舉裝置和基片背面的連接,並將升舉裝置再次連接至放電電路,以去除所述升舉裝置和基片上的殘餘電荷。 2.如請求項1所述的方法,其中所述放電電路具有一閥門,並連接 於地端或零電位端。 3.如請求項2所述的方法,其中所述步驟a包括如下步驟:升舉裝 置連接至放電電路,將所述放電電路的閥門關閉以將所述升舉裝置上的剩餘電荷導至地端或零電位端。 4.如請求項2所述的方法,其中所述步驟b包括如下步驟:開啟所 述放電電路的閥門,以斷開所述升舉裝置和所述放電電路的連接。 5.如請求項2所述的方法,其中所述步驟d包括如下步驟:將升舉 裝置再次連接至放電電路,將所述放電電路的閥門關閉以將所述升舉裝置和基片上的殘餘電荷導至地端或零電位端。 6.如請求項1所述的方法,其中在執行所述步驟c之後還包括如下 步驟:提升升舉裝置使得所述升舉裝置接觸於所述基片的底面,以施加第一升舉力至所述基片。 7.如請求項6所述的方法,其中在執行所述步驟c之後、之前或者 同時還包括如下步驟:在所述基片底面與所述靜電夾盤之間提供一氣壓,以向所述基片施加第二升舉力。 8.如請求項7所述的方法,其中在執行所述步驟c之後還包括如下 步驟:通過向朝向所述基片底面並設置於所述靜電夾盤之中的噴氣孔通入氣體來在所述基片底面與所述靜電夾盤之間提供一氣壓,以向所述基片施加向上的第二升舉力。 9.如請求項8所述的方法,其中所述第一升舉力和第二升舉力的和 大於或等於使所述基片剛好脫離所述靜電夾盤的力。 10.如請求項1所述的方法,其中所述升舉裝置包括一個或多個由 導體材料或半導體材料製成的升舉頂針。 11.一種用於在等離子處理裝置中將基片去夾持的去夾持裝置,其 中,所述等離子處理裝置包括一放置所述基片的基台,在所述基台中包括一靜電夾盤,其用於夾持住基片以在所述等離子處理裝置中進行


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