具有耐閘極短路之鰭式電晶體之元件及其製造方法 DEVICES INCLUDING FIN TRANSISTORS ROBUST TO GATE SHORTS AND METHODS OF MAKING THE SAME
申請人· 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US


專利信息

專利名稱 具有耐閘極短路之鰭式電晶體之元件及其製造方法
公告號 I408752
公告日 2013/09/11
證書號 I408752
申請號 2009/02/10
國際專利分類號
公報卷期 40-26
發明人 鐘琳 華納 JUENGLING, WERNER
申請人 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US
代理人 陳長文
優先權 美國 12/033,780 20080219
參考文獻 US7176067B2; US2006/0046407A1; US2008/0023757A1
審查人員 孫建文

專利摘要

本發明揭示方法、系統及裝置,其包含一種包含以下動作之方法:在一基板(102、210)中蝕刻一列間渠溝(144、220);用一介電材料(150、222)大致或完全地填充該列間渠溝(144、220):及至少部分地藉由在該基板(102、210)中蝕刻一閘極渠溝(164、238)來形成一鰭(190、258)及一絕緣突出部(168、242)。在某些實施例中,該絕緣突出部(168、242)包含該列間渠溝(144、220)中之該介電材料(150、222)之至少某些介電材料。


專利範圍

1.一種製造半導體裝置之方法,其包括:在一基板(102、210)中蝕刻一列間渠溝(144、220);用一介電材料(150、222)大致或完全地填充該列間渠溝(144、220);至少部分地藉由在該基板(102、210)中蝕刻一閘極渠溝(164、238)形成一鰭(190、258)及一絕緣突出部(168、242),其中該絕緣突出部(168、242)包含該列間渠溝(144、220)中之該介電材料(150、222)中之至少某些介電材料;以一閘極材質(180、246)填充該閘極渠溝(164、238);及使該閘極材質(180、246)凹入以低於該鰭(190、258)之一頂部表面。 2.如請求項1之方法,其中蝕刻該列間渠溝(144、220)包括:在該基板(102、210)上之一犧牲區(126、124)中形成若干前驅渠溝(136);及在該等前驅渠溝(136)中形成一間隔件(138),其中該間隔件(138)使該等前驅渠溝(136)變窄。 3.如請求項2之方法,其中該間隔件(138)使該等渠溝(136)變窄至小於一光微影解析度限制之一寬度。 4.如請求項2之方法,其包括使用該犧牲區(126、124)及側壁間隔件作為一遮罩來蝕刻該等列間渠溝(144、220)。 5.如請求項1之方法,其中在一基板(102、210)中蝕刻一列間渠溝(144、220)包括:蝕刻一列間渠溝(144、220)穿過一上部摻雜區(104)且至少部分地進入一下部摻雜區(106)。 6.如請求項1之方法,其中用一介電材料(150、222)大致或完全地填充該列間渠溝(144、220)包括:在該列間渠溝(144、220)中形成一第一襯裡(146);及將一旋塗電介質(150、222)施加至該基板(102、210)。 7.如請求項1之方法,其包括:用一犧牲材料及一第一側壁間隔件(232)遮蔽該列間渠溝(144、220)之該蝕刻;及在用該介電材料(150、222)大致或完全地填充該列間渠溝(144、220)之後移除該犧牲材料。 8.如請求項7之方法,其包括:繼移除該犧牲材料之後在該第一側壁間隔件之一表面上形成一第二側壁間隔件;及至少部分地用該第二側壁間隔件遮蔽該閘極渠溝(164、238)之該蝕刻。 9.如請求項1之方法,其中至少部分地藉由在該基板(102、210)中蝕刻一閘極渠溝(164、238)形成一鰭(190、258)及一絕緣突


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