半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置及其製造方法
公告號 I517405
公告日 2016/01/11
證書號 I517405
申請號 2013/12/18
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 鄭敏良 JENG, MIN LIANG; 王英郎 WANG, YING LANG; 陳科維 CHEN, KEI WEI; 劉繼文 LIU, CHI WEN; 魏國修 WEI, KUO HSIU; 黃國峰 HUANG, KUO FENG
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 13/756,389 20130131
參考文獻 TW439102; TW200727391; JP2007-141905A; JP2012-39002A; US2012/0112252A1
審查人員 王安邦

專利摘要

一種半導體裝置及其製造方法係揭露於此。一例示性的半導體裝置包括一基板,其包括一閘極結構,此閘極結構分隔源極/汲極(source and drain,S/D)特徵部件。此半導體裝置更包括一第一介電層,形成於該基板上,此第一介電層包括一第一內連線結構,其與源極/汲極特徵部件形成電性接觸。此半導體裝置又更包括一中介層,形成於第一介電層上,此中介層具有一上表面,其大體上與第一內連線結構的一上表面共平面。此半導體裝置又更包括一第二介電層,形成於中介層上,此第二介電層包括一第二內連線結構,其與第一內連線結構形成電性接觸,及一第三內連線結構,其與閘極結構形成電性接觸。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:一基板,其包括一閘極結構,該閘極結構分隔源極/汲極特徵部件;一第一介電層,形成於該基板上,該第一介電層包括一第一內連線結構,其與該源極/汲極特徵部件形成電性接觸;一中介層,形成於該第一介電層上,該中介層具有一上表面,其大體上與該第一內連線結構的一上表面共平面;以及一第二介電層,形成於該中介層上,該第二介電層包括一第二內連線結構,其與該第一內連線結構形成電性接觸,及一第三內連線結構,其與該閘極結構形成電性接觸。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,更包括:一矽化物層,設置於該源極/汲極特徵部件上,該矽化物層係介於該源極/汲極特徵部件與該第一內連線結構之間;以及一阻障層,設置於該矽化物層上,該阻障層係介於該矽化物層與該第一內連線結構之間。 3.如申請專利範圍第2項所述之半導體裝置,更包括一阻障層,設置於該矽化物層上,該阻障層係介於該矽化物層與該第一內連線結構之間。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該中介層包括一硬遮罩。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一、該第二及該第三內連線結構包括一材料,其係選自於由鋁、鎢及銅所組成之群組。 6.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該中介層具有一高度介於30埃至300埃之間。 7.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該閘極結構包括一閘極介電層與一閘極電極,該閘極電極係與該第三內連線結構形成電性接觸。 8.一種半導體裝置,包括:一基板,其包括一閘極結構,該閘極結構橫跨一通道區域且分隔源極/汲極特徵部件,該閘極結構包括一閘極電極,該閘極結構具有位於一第一平面的一上表面;一第一介電層,形成於該源極/汲極特徵部件上;一第一內連線結構,延伸貫穿該第一介電層與形成於該第一介電層上的一中介層,該第一內連線結構係與該源極/汲極特徵部件形成電性接觸,該第一內連線結構具有位於一第二平面的一上表面,其不同於位於該第一平面的該閘極結構的該上表面;一第二介電層,形成於該中介層上;一第二內連線結構,延伸貫穿該第二介電層,該第二內連線結構係與該第一內連線結構形成電性接觸;以及一第三內連線結構,延伸貫穿該第二介電層與該中介層,該第三內連線結構係與該閘極結構形成電性接觸。 9.如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置,更包括:一矽化物層,設置於該源極/汲極特徵部件上,該矽化物層係介於該源極/汲極特


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統