儲能裝置及其製造方法 ENERGY STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 儲能裝置及其製造方法
公告號 I517484
公告日 2016/01/11
證書號 I517484
申請號 2011/05/25
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 栗城和貴 KURIKI, KAZUTAKA; 湯川幹央 YUKAWA, MIKIO
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2010-125523 20100601
參考文獻 CN1983681A; US2009/0042102A1
審查人員 謝文瑜

專利摘要

提供一種能夠提高放電容量的儲能裝置。或者,提供一種能夠減小由反覆充放電導致的電極劣化的儲能裝置。儲能裝置包括具有用作活性材料層的結晶矽層的儲能裝置的電極。結晶矽層包括結晶矽區域、具有突出在該結晶矽區域上的多個突起部的鬚狀結晶矽區域。多個突起部包括第一突起部和第二突起部,其中,第二突起部的在突起部的軸上的長度比第一突起部長,並且第二突起部的頂端比第一突起部更尖銳。


專利範圍

1.一種電極,包括:混合層,包括矽及藉由與矽反應而形成矽化物的金屬元素;以及在該混合層之上的矽層,其中,該矽層包括多個突起部及一矽區域,其中,該多個突起部設置在該矽區域之上,並且其中,該多個突起部包括柱狀突起部和針狀突起部。 2.一種電極,包括:集電器;以及該集電器之上的矽層,其中,該集電器包括藉由與矽反應而形成矽化物的金屬元素,其中,該電極包括在該集電器與該矽層之間的混合層,其中,該混合層包括該金屬元素及矽,其中,該矽層包括矽區域、以及具有在矽區域之上的多個突起部的鬚狀矽區域,並且其中,該多個突起部包括柱狀突起部和針狀突起部。 3.根據申請專利範圍第1或2項之電極,其中,該柱狀突起部包括圓柱狀突起部和矩形柱狀突起部中的至少一種。 4.根據申請專利範圍第1或2項之電極,其中,該針狀突起部包括圓錐狀突起部和角錐狀突起部中的至少一種。 5.根據申請專利範圍第1或2項之電極,其中,該多個突起部從該矽區域向上方突出。 6.根據申請專利範圍第1或2項之電極,其中,該混合層包括矽化物。 7.根據申請專利範圍第1或2項之電極,其中,該金屬元素是選自由鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、鈷及鎳所組成的群組中的至少一者。 8.根據申請專利範圍第2項之電極,其中,該電極包括在該集電器與該矽層之間的氧化層。 9.根據申請專利範圍第1或2項之電極,其中,該矽層包括結晶矽。 10.一種儲能裝置,包括如申請專利範圍第1或2項之電極。 11.一種儲能裝置的製造方法,包括以下步驟:藉由低壓化學氣相沉積法並使用包含矽的沉積氣體,在集電器上形成包含矽區域、柱狀突起部和針狀突起部的矽層,其中,該集電器包括藉由與矽反應而形成矽化物的金屬元素,其中,混合層位在該集電器與該矽區域之間,並且其中,該混合層包括該金屬元素及矽。 12.根據申請專利範圍第11項之儲能裝置的製造方法,其中,該柱狀突起部包括圓柱狀突起部和矩形柱狀突起部中的至少一種。 13.根據申請專利範圍第11項之儲能裝置的製造方法,其中,該針狀突起部包括圓錐狀突起部和角錐狀突起部中的至少一種。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統