半導體發光裝置 A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
申請人· 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體發光裝置
公告號 I517447
公告日 2016/01/11
證書號 I517447
申請號 2012/12/17
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 古山英人 FURUYAMA, HIDETO; 秋元陽介 AKIMOTO, YOSUKE; 島田美代子 SHIMADA, MIYOKO; 小島章弘 KOJIMA, AKIHIRO; 杉崎吉昭 SUGIZAKI, YOSHIAKI
申請人 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2012-103040 20120427
參考文獻 TW200940905A; TW201031033A1; TW201201426A1; US20100176410A1; US20110147778A1
審查人員 楊啟全

專利摘要

本發明係一種半導體發光裝置,其中,如根據實施形態,半導體發光裝置係具備:發射激發光之發光元件,和設置於前述發光元件上之螢光體層,和設置於前述發光元件與前述螢光體層之間,較對於前述激發光的波長而言之反射率,對於前述螢光體之螢光波長而言具有高反射率之螢光反射膜。前述螢光體層係具有:透明媒體,和分散於前述透明媒體中,經由前述激發光所激發而發射螢光之螢光體,和分散於前述透明媒體中,前述激發光的波長之1/10以下之大小,且與前述透明媒體不同折射率之粒子。


專利範圍

1.一種半導體發光裝置,具備設於半導體層之p側電極及n側電極,發出激發光之發光元件、和與p側電極電性連接之p側配線部及電性連接於n側電極之n側配線部、和具有設於p側配線部及n側配線部之周圍之遮光性的絕緣膜、和設於前述發光元件及具有前述遮光性之絕緣膜上的螢光體層,其特徵係,具有透明媒體,和分散於前述透明媒體中,經由前述激發光所激發而發射螢光之螢光體,和分散於前述透明媒體中,前述激發光的波長之1/10以下之大小,且與前述透明媒體不同折射率之粒子的螢光體層,和於前述發光元件與前述螢光體層之間,經由發光元件之半導體層與螢光層直接挾持而設置,相較於針對前述激發光的波長之反射率,針對前述螢光體之螢光波長者具有高反射率之螢光反射膜。 2.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,前述粒子之平均粒徑為15nm以上,45nm以下者。 3.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,前述發光元件係具有:包含第1的面,與其相反側之第2的面,與活性層之半導體層,和設置於在包含前述活性層之範圍之前述第2的面之 p側電極,和設置於在未包含前述活性層之範圍之前述第2的面之n側電極。 4.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,更具備:設置於前述第2的面側,具有通過於前述第p側電極之第1的開口,與通過於前述n側電極之第2的開口之第1絕緣膜,和設置於前述第1絕緣膜上,通過前述第1的開口而與前述p側電極加以電性連接之p側配線部,和設置於前述第1絕緣膜上,通過前述第2的開口而與前述n側電極加以電性連接之n側配線部者。 5.如申請專利範圍第4項記載之半導體發光裝置,其中,前述第1絕緣膜係被覆從前述半導體層之前述第1的面持續之側面。 6.如申請專利範圍第4項記載之半導體發光裝置,其中,更具備:設置於前述p側配線部與前述n側配線部之間的第2絕緣膜。 7.如申請專利範圍第6項記載之半導體發光裝置,其中,前述第2絕緣膜係被覆前述p側配線部之周圍及前述n側配線部之周圍。 8.如申請專利範圍第4項記載之半導體發光裝置,其中,前述p側配線部係具有:設置於前述第1的開口內及前述第1絕緣膜上之p側配線層,和設置於前述p側配線層上,較前述p側配線層為厚之p側金屬柱,前述n側配線部係具有:設置於前述第2的開口內及前述第1絕緣膜上之n側配線層,和設置於前述n側配線層上,較前述n側配線層為厚之n側金屬柱者。 9.


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
I529966 半導體發光裝置 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I529967 半導體發光裝置 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I529970 半導體發光裝置及其製造方法 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I528577 用於半導體發光裝置的接點 飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC 美國 US
I528588 半導體發光元件及半導體發光裝置 豐田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD. 日本 JP
I525854 半導體發光裝置 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I522691 具有半導體發光裝置的背光 飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC 美國 US; 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONIC
I523262 具多單元陣列之半導體發光裝置及製造其之方法 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韓 KR
I520245 基於產品晶圓特性以特性化半導體發光裝置之方法 精微超科技公司 ULTRATECH, INC. 美國 US
I520387 垂直結構半導體發光裝置及其製造方法 LG伊諾特股份有限公司 LG INNOTEK CO., LTD. 南韓 KR
I517441 半導體發光裝置及其製造方法 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I517459 半導體發光裝置及其製造方法 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I515927 半導體發光裝置及其製造方法 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I514625 半導體發光裝置及其封裝結構 LG伊諾特股份有限公司 LG INNOTEK CO., LTD. 南韓 KR
I514629 半導體發光元件安裝用基板及使用該基板的半導體發光裝置 友立材料股份有限公司 SH MATERIALS CO., LTD. 日本 JP; 住立精工股份有限公司 SH PRECISION CO., LTD. 日本 JP
I514631 半導體發光裝置及其製造方法 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I514634 半導體發光裝置之製造方法、半導體發光裝置及液晶顯示裝置 斯坦雷電氣股份有限公司 STANLEY ELECTRIC CO., LTD. 日本 JP
I513045 半導體發光裝置及其製造方法 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I513056 半導體發光裝置之製造方法 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統