具有增強崩潰電壓之蕭基特二極體 SCHOKKTY DIODE WITH ENHANCED BREAKDOWN VOLTAGE
申請人· 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號 TW


專利信息

專利名稱 具有增強崩潰電壓之蕭基特二極體
公告號 I517414
公告日 2016/01/11
證書號 I517414
申請號 2012/05/18
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 呂晉賢 LU, CHIN HSIEN; 杜碩倫 TU, SHUO LUN; 張晉偉 CHANG, CHIN WEI; 詹景琳 CHAN, CHING LIN; 李明東 LEE, MING TUNG
申請人 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號 TW
代理人 李貴敏
優先權
參考文獻 US7608907B2; US2009/0236679A1; US2010/0187577A1
審查人員 閻濟民

專利摘要

本發明揭露一種改良的蕭基特二極體結構及其製造方法。此蕭基特二極體結構具有p型主體區域在操作上可以夾住在高電壓n型區域中的電流路徑,以及場-平板結構在操作上可以將該蕭基特二極體的電場電位分配。N井區域佈植於該矽基板內的一p型磊晶層之上,且可以作為該蕭基特二極體的一陰極,以及N井區域佈植於該高電壓N井區域內可以作為該蕭基特二極體的陽極。此蕭基特二極體結構也可以作為一低端金氧半場效電晶體結構。


專利範圍

1.一種蕭基特二極體,包含:一矽基板;一p型磊晶層;一個或多個p型主體區域鄰近於該p型磊晶層,且操作上可以執行一n型埋藏層之一部份中的電流路徑之垂直夾鉗,該n型埋藏層係形成鄰近於該p型磊晶層;一個或多個高電壓n型區域佈植於該矽基板內的該p型磊晶層之上;一個n型井區佈植於每一個該些高電壓n型區域中;以及一個或多個場-平板結構,包含一個或多個形成於該些p型主體區域之一部分之多晶矽場平板之上,該些場-平板結構操作上可以將該蕭基特二極體的電場電位分配。 2.如申請專利範圍第1項所述之蕭基特二極體,其中每一個該些高電壓n型區域包括該蕭基特二極體的一陰極。 3.如申請專利範圍第2項所述之蕭基特二極體,其中該些佈植於每一個該些高電壓n型區域中之n型井區包括該蕭基特二極體的陽極。 4.如申請專利範圍第3項所述之蕭基特二極體,更包含氧化層區域形成於該基板的一部分之上。 5.如申請專利範圍第4項所述之蕭基特二極體,更包含場氧化(FOX)隔離區域形成於該些高電壓n型區域與該些n型井區的一部分之上。 6.如申請專利範圍第5項所述之蕭基特二極體,更包含一閘極熱氧化層區域形成於該基板的一部分之上。 7.如申請專利範圍第6項所述之蕭基特二極體,更包含一個或多個多晶矽場平板至少部分地形成於該些場氧化(FOX)隔離區域、該些高電壓n型區域及該基板之上,其中該些多晶矽場平板包括在操作上可以將該蕭基特二極體的電場電位分配的該些場-平板結構。 8.如申請專利範圍第7項所述之蕭基特二極體,更包含一個或多個p型井區佈植形成於至少兩個該些高電壓n型區域之間的該基板內,其中該些p型井區包含在操作上可以夾住在該些高電壓n型區域中的電流路徑之該些p型主體區域。 9.如申請專利範圍第8項所述之蕭基特二極體,更包含:一n-p區域佈植於每一個該些n井區域內,以形成與該蕭基特二極體的該陰極之歐姆接觸;一p-p區域佈植於每一個該些p型主體區域內,以形成與該蕭基特二極體的該些p型主體區域之歐姆接觸;一介電層形成於該基板之上;以及金屬結構形成於該介電層之上以提供該蕭基特二極體的連接路徑。 10.如申請專利範圍第9項所述之蕭基特二極體,更包含一低端金氧半場效電晶體結構。 11.如申請專利範圍第10項所述之蕭基特二極體,其中該蕭基特二極體的一陰極包含該低端金氧半場效電晶體結構的一汲極,且其中一場平板結構包含該低端金氧半場效電晶體結構的


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