發光二極體發光增益結構 LIGHT ENHANCING STRUCTURE FOR A LIGHT EMITTING DIODE
申請人· 葳天科技股份有限公司 PROLIGHT OPTO TECHNOLOGY CORPORATION. 桃園市中壢區中壢工業區西園路89號 TW


專利信息

專利名稱 發光二極體發光增益結構
公告號 I517446
公告日 2016/01/11
證書號 I517446
申請號 2013/10/01
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 邢陳震崙 HSING CHEN, CHENLUN; 洪榮豪 HUNG, JUNGHAO; 林鼎堯 LIN, DINGYAO
申請人 葳天科技股份有限公司 PROLIGHT OPTO TECHNOLOGY CORPORATION. 桃園市中壢區中壢工業區西園路89號 TW
代理人 蔡坤財; 李世章
優先權
參考文獻 TWM378464; TW201031031A
審查人員 許勝宗

專利摘要

本發明提供一種發光二極體發光增益結構,包含一發光二極體單元及至少一鍍覆膜。發光二極體單元包含若干表面及一出光面。至少一鍍覆膜形成於部分之表面上。鍍覆膜用以阻擋或反射發光二極體單元發射之部分光線,進而增益發光二極體單元透過出光面發射之光線。


專利範圍

1.一種發光二極體發光增益結構,包含:一發光二極體單元,其包含若干表面及一出光面;以及至少一鍍覆膜,形成於部分之該些表面上,該鍍覆膜阻擋或反射該發光二極體單元發射之部分光線,進而增益該發光二極體單元透過該出光面發射之光線。 2.如請求項1之發光二極體發光增益結構,其中該鍍覆膜為單層或二層以上於部分該些表面上依序形成之鍍覆膜。 3.如請求項2之發光二極體發光增益結構,其中該些鍍覆膜厚度總合介於0.2微米至20微米。 4.如請求項1之發光二極體發光增益結構,其中各該鍍覆膜厚度介於0.1微米至20微米。 5.如請求項1或2之發光二極體發光增益結構,其中該些鍍覆膜材質為一高分子材質、無機化合物材質或金屬材質。 6.如請求項5之發光二極體發光增益結構,其中該金屬材質為鋁、白金、黃金、銀、鋅或銅。 7.如請求項5之發光二極體發光增益結構,其中該無機化合物材質為氧化鋯、二氧化鈦、硫酸鋇、二氧化矽、氮化鋁、氧化鋁。 8.如請求項1之發光二極體發光增益結構,其中該發光二極體單元發射至少一正向光及一側向光,且該些隔離膜阻擋或反射該發光二極體單元發射之該側向光。 9.如請求項1之發光二極體發光增益結構,其中該發光二極體單元為一垂直電極型發光二極體單元、一水平電極型發光二極體單元或一覆晶型發光二極體單元。 10.如請求項1之發光二極體發光增益結構,其中該些表面中部分表面為一傾斜面或一垂直面。


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公告號 專利名稱 申請人
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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統