半導體裝置及其製作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
申請人· 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置及其製作方法
公告號 I517393
公告日 2016/01/11
證書號 I517393
申請號 2012/06/06
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳威霖 CHEN, WEI LIN; 林克峰 LIN, KE FENG; 張志謙 CHANG, CHIH CHIEN; 王智充 WANG, CHIH CHUNG
申請人 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
代理人 吳豐任; 戴俊彥
優先權
參考文獻 TW200836342; TW200924195; TW201126644; US7420247B2; US7829947B2; US20090273030A1
審查人員 翁佑菱

專利摘要

一種半導體裝置,包括一半導體基底、一設置於半導體基底中的埋入層、一設置於半導體基底中的深井區、一設置於深井區中的第一摻雜區,且第一摻雜區接觸埋入層、一具有第一導電型之導電區,緊鄰第一摻雜區,且導電區的摻質濃度高於第一摻雜區的摻質濃度、一設置於第一摻雜區中的第一重摻雜區、一具有第二導電型之井區,設置於深井區中、一第二重摻雜區,設置於井區中、一閘極,設置於第一重摻雜區與第二重摻雜區之間的半導體基底上、一第一溝渠結構及一第二溝渠結構,其中第二溝渠結構之深度係實質上大於埋入層之深度。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:一半導體基底;一埋入層,設置於該半導體基底中;一具有第一導電型之深井區,設置於該半導體基底中,且該深井區位於該埋入層上;一具有該第一導電型之第一摻雜區,設置於該深井區中,且該第一摻雜區接觸該埋入層;一具有該第一導電型之導電區,緊鄰該第一摻雜區,且該導電區的摻質濃度高於該第一摻雜區的摻質濃度;一具有該第一導電型之第一重摻雜區,設置於該第一摻雜區中;一具有一第二導電型之井區,設置於該深井區中;一具有該第一導電型之第二重摻雜區,設置於該井區中;一閘極,設置於該第一重摻雜區與該第二重摻雜區之間的該半導體基底上;一第一溝渠結構,設置於該閘極一側的該半導體基底中,且該第一溝渠結構接觸該埋入層;以及一第二溝渠結構,設置於相對該第一溝渠結構之該閘極另一側的該半導體基底中,其中該第二溝渠結構之深度係實質上大於該埋入層之深度。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該導電區係為一環狀立體結構。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該導電區具有一摻雜濃度梯度,且該摻雜濃度從該導電區與該第一摻雜區之界面往該導電區與該深井區之界面的方向遞減。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該導電區設置於該第一溝渠結構及該第一摻雜區之間。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一溝渠結構設置於該第一摻雜區與該井區之間。 6.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該半導體基底另包括一磊晶層,且該深井區係設置於該磊晶層中。 7.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一溝渠結構之寬度係實質上小於該第二溝渠結構之寬度。 8.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一導電型係為N型或P型之一者,且該第二導電型係與該第一導電型相異。 9.一種半導體裝置,包括:一半導體基底;一埋入層,設置於該半導體基底中;一具有第一導電型之深井區,設置於該半導體基底中,且該深井區位於該埋入層上;一具有該第一導電型之第一摻雜區,設置於該深井區中,且該第一摻雜區接觸該埋入層;一包括金屬組成之導電區,緊鄰該第一摻雜區;一具有該第一導電型之第一重摻雜區,設置於該第一摻雜區中;一具有一第二導電型之井區,設置於該深井區中;一具有該第一導電型之第二重摻雜區,設置於該井區中;一閘極,設置於該第一重摻雜區與該第二重摻雜區之間的該半導體基底上;一第一溝渠結構,設置於該閘


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統