光宇材料



  • 光阻材料及圖型形成方法

    公告號:200300038 - 信越化學工業股份有限公司 日本

  • 負型光阻材料及使用其形成圖型之方法

    公告號:200302953 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

  • 光阻材料及圖型之形成方法

    公告號:200303454 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

    1.1一種光阻材料,其特徵為:含有(A)具有以酸不安定基保護之酸性官能基的鹼不溶或難溶高分子化合物,係該酸不安定基脫離時成為鹼可溶之高分子化合物,(B)酸產生劑,(D)至少一種選自僅具有含全氟烷基之矽氧烷結合及聚氧化乙烯型聚醚結合之非離子性含氟有機矽氧烷系化合物之非離子性含氟化合物之以波長150奈米

  • 硫代氨基甲酸乙酯系光學材料

    公告號:200304920 - 三井化學股份有限公司 MITSUI CHEMICALS INC. 日本

    1.[ind]1. 一種高折射率樹脂用聚合性組成物,包含:具有二硫縮醛、二酮縮硫醇、對位三硫甲酸酯或對位四硫碳酸酯骨架,並且具有2個以上氫硫基的聚硫醇化合物,與具有2個以上異(硫)氰酸根合基的化合物;以及其特徵為:氫硫基與異(硫)氰酸根合基之莫耳比大於1.0、小於3.0。[dep]2. 如申請專利範

  • 含有可與稀土類金屬離子形成配位結合之含官能基氟聚合物的含氟光學材料

    公告號:200307720 - 大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD. 日本

    1.1、一種氟樹脂組成物,其係為由(I)含官能基之氟聚合物,及(II)稀土類金屬離子所得之組成物,其特徵為,含官能基之氟聚合物(I)中之官能基Y,係含有選自元素週期表第14族、15族與16族元素群中2種以上相異的雜原子,且介由該2種以上相異的雜原子可與稀土類金屬離子(II)形成配位結合者。 2、如申

  • 光阻材料及微細加工方法

    公告號:200402598 - 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本

    1.一種光阻材料,其特徵在於含過渡金屬之不完全氧化物,且該不完全氧化物之含氧量少於對應於前述過渡金屬所能採取之價數之化學計量組成之含氧量者。 2.如申請專利範圍第1項之光阻材料,其中前述光阻材料係含氧化物之非晶質無機材料者。 3.如申請專利範圍第1項之光阻材料,其中上述過渡金屬係Ti、V、Cr、Mn

  • 用於光學材料之高透明度塑膠之製備方法

    公告號:200402428 - 羅莫兩合股份有限公司 ROHM GMGH & CO. KG 德國

  • 化學增幅光阻材料用之光酸產生劑,以及使用其之光阻材料及形成圖案之方法

    公告號:200403523 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

  • 新穎之磺醯基重氮甲烷化合物、光產酸劑、以及使用其之光阻材料及圖型之形成方法

    公告號:200405128 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

  • 環狀烯烴系開環共聚物及其製造方法以及光學材料

    公告號:200405899 - JSR股份有限公司 JSR CORPORATION 日本

    1.一種環狀烯烴系開環共聚物,其特徵為含有下述一般式(1-1)、下述一般式(1-2)或下述一般式(1-3)所示之構造單位(A)、與下述一般式(2)所示之構造單位(B),以換算成莫耳為10:90~70:30之比例所構成的環狀烯烴系開環共聚物或經氫化的環狀烯烴系開環共聚物,用於取得該構造單位(A)的單體

  • 光阻材料及圖型之形成方法

    公告號:200407671 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

  • 酯化合物、高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法

    公告號:200408909 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

  • 用於光阻材料之抗反射組合物

    公告號:200413855 - 克來里恩國際公司 CLARIANT INTERNATIONAL LTD. 瑞士

  • 透明耐熱樹脂光學材料及薄膜

    公告號:200413416 - 東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION 日本

  • 使用反射光調節器選擇性曝光感光性材料之裝置及方法

    公告號:200415253 - 柯達公司 EASTMAN KODAK COMPANY 美國

    1.一種使圖案曝光於感光性介質上之裝置,該裝置包括:(a)一將入射光束提供至反射偏光調節器之曝光輻射源;及(b)該反射偏光調節器包括在各像元調節該入射光束之偏光狀態,以將曝光光束反射至感光性介質之像元陣列。 2.如申請專利範圍第1項之裝置,其中該感光性介質係為線性光聚合介質。 3.如申請專利範圍第1