光宇材料



  • 反射式光電材料組合照明裝置

    公告號:M464609 - 靳笑明 泰國 TH; 靳濤 中國大陸 CN; 林凱金 澳大利亞 AU

    1.一種反射式光電材料組合照明裝置,包含:一發光構件、一反射構件、及一支撐構件,該反射構件包括一轉換盤及一反光鏡盤,該反光鏡盤佈設有至少一個透孔,該轉換盤及該反光鏡盤設置於該支撐構件上,該轉換盤對應且面向於該反光鏡盤,且該發光構件對應且面向於該反射構件。2.如申請專利範圍第1項所述之反射式光電材

  • 一種結合呈金屬光澤材料之棋奕裝置

    公告號:M356529 - 財團法人台灣創意設計中心 TAIWAN DESIGN CENTER 臺北市南港區南港園區街3之1號G棟3樓

    1.一種結合呈金屬光澤材料之棋奕裝置,其包含: (1)一棋子基座,該基座為具有通透感之冷光材質或木質所製備;及 (2)一安置於棋子基座上之棋子物件,該物件由金屬材質所製備。 2.根據申請專利範圍第1項之棋奕裝置,其中該棋奕裝置為象棋。 3.根據申請專利範圍第1項之棋奕裝置,其中該冷光材質為琉璃。 4

  • 蓄光型之自發光軟材料結構

    公告號:M333801 - 吳光城 WU, KUANG CHENG 臺北縣中和市圓通路268號3樓

    1.一種蓄光型之自發光軟材料結構,適用於附著於一附著物上,該蓄光型之自發光軟材料結構至少包含: 一可撓曲軟材,係具有一第一表面;以及 一自發光材料,係形成於該可撓曲軟材之該第一表面上。 2.如申請專利範圍第1項所述之蓄光型之自發光軟材料結構,其中該可撓曲軟材相對於該第一表面係具有一第二表面,以一粘著

  • 多功能光電材料洗淨檢測桌

    公告號:M317569 - 喬輝企業股份有限公司 臺北市內湖區民權東路6段160號7樓之4

    1.一種多功能光電材料洗淨檢測桌,其包括: 一檢測桌,該檢測桌係以框架作為支撐結構,其內設有檢驗平台及滾珠滑軌,並於該框架頂面設一蓋板,且該蓋板上安設有燈具;於左側後方設電源插座及開關,藉以控制燈光及檢驗桌之電源,又於底部設腳踏開關以控制夾具開合動作,其壓力値可經由設於一側之氣壓閥調整該壓力之大小;

  • 反光附加夜光之材料結構

    公告號:M313064 - 吳星輝 WU, HSIN HUI 臺北市中山區復興北路288號12樓之1

    1.一種反光附加夜光之材料結構,包含一底層、複數個玻璃珠以及一夜光層,前述底層之上表面係為一金屬鍍層,前述夜光層係形成於前述金屬鍍層之上,前述夜光層與前述金屬鍍層之上係覆蓋一透明隔離層,且前述玻璃珠係設置於前述透明隔離層之上,並與前述夜光層隔離。 2.一種反光附加夜光之材料結構,包含一底層、複數個玻

  • 多功能光電材料檢測檯結構

    公告號:M305900 - 喬輝企業股份有限公司 臺北市內湖區民權東路6段160號7樓之4

    1.一種多功能光電材料檢測檯結構,其主要包括有: 一檢測檯:由主體框架作結構體,並以蓋板作四面包覆形成一容室,測檢檯於上方端緣設電源開關,藉以控制燈光及平台之電源,又於底部設腳踏開關以控制夾具開合動作,其壓力値可經由設於一側之氣壓閥調整該壓力之大小; 一U型軌道:係將滑塊組藉由軸承與該U型軌道相連接

  • 多功能光電材料篩選平台

    公告號:M294648 - 邱麗華 臺北市內湖區民權東路6段160號7樓之4

    1.一種多功能光電材料篩選平台,主要是使用於偏光板檢測篩選的平台,亦可應用於相關產品篩選,包括: 檢測篩選台由主體框架作結構體,並以蓋板作四面包覆形成一容室,該檢測篩選台之容室內設檢測台,可利用設於邊緣之分度盤作角度調整後由卡固栓卡固定位;檢測篩選台於於近底端設調壓閥調整壓力,又於底部設腳踏開關以控

  • 一種光電材料及其應用

    公告號:I531561 - 國立交通大學 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY 新竹市大學路1001號 TW

    1.一種光電材料,包含:一電子給體材料;一電子受體材料;以及一化合物,選自一丙二酸二五氟苯酯以及一六氟苯所組成之群組的其中之一;其中,該電子給體材料以及該電子受體材料至少其中之一為富勒烯衍生物。2.如申請專利範圍第1項所述之光電材料,其中該富勒烯衍生物係選自[6,6]-苯基-C61丁酸五氟苯酯(

  • 感光性光阻材料用顯影液及使用此顯影液之圖案形成方法

    公告號:I524157 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP

    1.一種感光性光阻材料用顯影液,其特徵為含有下列通式(1)表示之環狀氫氧化銨;(式中,R 1 、R 2 為碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、或碳數2~10之烯基或炔基,R 3 為亞甲基、伸乙基、-O-CH2-、-S-CH2-、或-NH-CH2-)。2.如申請專利範圍第1項之感光性光阻材料用

  • 正型光阻材料及利用此之圖案形成方法

    公告號:I524147 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP

    1.一種正型光阻材料,其特徵為將包含以酸不穩定基取代羧基及/或苯酚性羥基之氫原子之重複單元、與下列通式(1)表示之有4-哌哢酯之重複單元a之重量平均分子量為1,000~500,000之範圍之高分子化合物作為基礎樹脂;式中,R 1 為氫原子或甲基,R 2 為甲基或乙基,X為單鍵;0<a<1

  • 光阻材料及圖案形成方法

    公告號:I523836 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP

    1.一種光阻材料,其特徵為含有:基礎聚合物,及下列通式(1)-1表示之鋶鹽或下列通式(1)-2表示之錪鹽;該基礎聚合物具有下列通式(2)中之重複單元a1表示之經酸不穩定基取代之來自(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯羧酸、或乙烯基萘羧酸之重複單元、或a2表示之經酸不穩定基取代之來自羥基苯乙烯之重複單元;式中,R

  • 用於薄膜光伏材料的硒化的自清潔大規模方法和熔爐系統

    公告號:I523119 - 思陽公司 STION CORPORATION 美國 US

    1.一種利用自清潔熔爐製造銅銦二硒化物半導體膜的方法,包括:將多個基板轉移至熔爐中,所述熔爐包括處理區域和至少一個與所述處理區域可拆卸接合的端帽區域,將所述多個基板中的每一個相對於重力方向垂直定向而設置,用數字N限定所述多個基板,其中N大於5,每一個基板具有銅和銦複合結構;將包括氫物質和硒化物物質以

  • 光阻材料、利用該光阻材料之圖案形成方法、及聚合性單體與高分子化合物

    公告號:I522740 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP

    1.一種光阻材料,其特徵為:將重量平均分子量為1,000~500,000之範圍之高分子化合物作為基礎樹脂,該高分子化合物係將下列通式(1)表示之重複單元a、與下列通式(2-1)及/或(2-2)表示之具有酸不安定基之重複單元b1及/或b2共聚合而成之下列通式(2)表示之高分子化合物;式中,R 1 為甲

  • 正型光阻材料及利用此之圖案形成方法

    公告號:I522379 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP

    1.一種正型光阻材料,其特徵為將包含以酸不穩定基取代羧基及/或苯酚性羥基之氫原子之重複單元、與下列通式(1)表示之有呋喃酮酯之重複單元a之重量平均分子量為1,000~500,000之範圍之高分子化合物作為基礎樹脂;(式中,R 1 為氫原子或甲基,R 2 為甲基或乙基,X為單鍵、酯基、醚基或具有內酯環

  • 單體、高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法

    公告號:I522345 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP

    1.一種下列通式(1)表示之單體;(式中,R 1 表示氫原子、甲基、或三氟甲基;R 2 表示氫原子或酸不穩定基)。2.一種下列通式(2)表示之單體;(式中,R 1 表示氫原子、甲基、或三氟甲基;R 3 表示碳數1~20之直鏈狀、分支狀或環狀1價之烴基,且構成1價烴基之-CH2-也可取代為-O-或