外延結構的製備方法 METHOD FOR MAKING EPITAXIAL STRUCTURE SYSTEM
申請人· 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 新北市土城區自由街2號 TW


專利信息

專利名稱 外延結構的製備方法
公告號 I517434
公告日 2016/01/11
證書號 I517434
申請號 2012/05/04
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 魏洋 WEI, YANG; 范守善 FAN, SHOU-SHAN
申請人 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 新北市土城區自由街2號 TW
代理人
優先權 中國大陸 201210122618.6 20120425
參考文獻 CN101503174A; CN101931035
審查人員 徐孝倫

專利摘要

本發明涉及一種外延結構的製備方法,其包括以下步驟:提供一基底,該基底具有一支援外延層生長的外延生長面;在所述基底的外延生長面設置一石墨烯層,所述石墨烯層使所述外延生長面部分被覆蓋且部分被暴露;及在基底的外延生長面被暴露的部分生長外延層。


專利範圍

1.一種外延結構的製備方法,其包括以下步驟:提供一基底,該基底具有一支援外延層生長的外延生長面;在所述基底的外延生長面設置一石墨烯層,所述石墨烯層使所述外延生長面部分被覆蓋且部分被暴露;及在基底的外延生長面被暴露的部分生長外延層。 2.如請求項1所述的外延結構的製備方法,其中,所述石墨烯層僅包括石墨烯材料。 3.如請求項1所述的外延結構的製備方法,其中,所述石墨烯層為一由石墨烯粉末或石墨烯薄膜構成的連續的整體結構。 4.如請求項3所述的外延結構的製備方法,其中,所述石墨烯層具有複數開口,且所述外延層從所述基底的外延生長面通過該開口暴露的部分生長。 5.如請求項4所述的外延結構的製備方法,其中,所述開口的尺寸為10奈米~120微米,所述石墨烯層的佔空比為1:4~4:1。 6.如請求項1所述的外延結構的製備方法,其中,所述石墨烯層為分散的石墨烯粉末。 7.如請求項1所述的外延結構的製備方法,其中,所述石墨烯層為一圖案化的單層石墨烯,所述的外延結構的製備方法包括以下步驟:製備一單層石墨烯;將該單層石墨烯轉移至所述基底的外延生長面;及將該單層石墨烯圖案化。 8.如請求項7所述的外延結構的製備方法,其中,所述單層石墨烯的製備方法為化學氣相沈積法、機械剝離法、靜電沈積法、碳化矽熱解法、及外延生長法中的一種或複數種。 9.如請求項7所述的外延結構的製備方法,其中,所述將該單層石墨烯圖案化方法包括光催化二氧化鈦切割法、離子束蝕刻法、原子力顯微鏡蝕刻法、及電漿蝕刻法中的一種或複數種。 10.如請求項9所述的外延結構的製備方法,其中,所述將該單層石墨烯圖案化的方法為光催化二氧化鈦切割法,其具體包括以下步驟:製備一圖案化的金屬鈦層;將該圖案化的金屬鈦層加熱氧化得到一圖案化的二氧化鈦層;將該圖案化的二氧化鈦層與該單層石墨烯接觸,並採用紫外光照射該圖案化的二氧化鈦層;及去除圖案化的二氧化鈦層。 11.如請求項10所述的外延結構的製備方法,其中,所述製備一圖案化的金屬鈦層的方法為將金屬鈦直接沈積在一圖案化的奈米碳管結構表面。 12.如請求項11所述的外延結構的製備方法,其中,所述奈米碳管結構為一從奈米碳管陣列中拉取獲得的奈米碳管膜。 13.如請求項11所述的外延結構的製備方法,其中,所述將該圖案化的金屬鈦層加熱氧化的方法為給奈米碳管結構通入電流。 14.如請求項1所述的外延結構的製備方法,其中


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