使用無機酸及臭氧之表面處理方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR SURFACE TREATMENT USING INORGANIC ACID AND OZONE
申請人· 蘭姆研究股份公司 LAM RESEARCH AG 奧地利 AT


專利信息

專利名稱 使用無機酸及臭氧之表面處理方法與設備
公告號 201241910
公告日
證書號
申請號 2011/12/01
國際專利分類號
公報卷期 10-20
發明人 歐克隆 史密德 哈洛德 OKORN-SCHMIDT, HARALD; 古寧格 法蘭茲 KUMNING, FRANZ; 歐伯威格 瑞尼 OBWEGER, RAINER; 渥恩斯伯格 湯瑪士 WIRNSBERGER, THOMAS
申請人 蘭姆研究股份公司 LAM RESEARCH AG 奧地利 AT
代理人 許峻榮
優先權 美國 12/959,924 20101203
參考文獻
審查人員

專利摘要

使用無機酸及臭氧之表面處理方法與設備簡圖

藉由將氣態臭氧溶入相當冷的無機酸中、將該酸臭氧混合物供給到一晶圓上、以及將該晶圓的表面快速加熱至比該酸臭氧混合物之溫度高至少30℃的溫度,以改善在一單一晶圓前段溼式處理站中之經離子植入之光阻的去除。


專利範圍

1.一種物件表面的處理方法,用以處理一物件之表面,包含下列步驟:將一無機酸供給到一待處理之物件的表面上,該無機酸具有第一溫度;在該待處理之物件的表面上形成該無機酸與臭氧之混合物的液體層;在供給該無機酸期間或之後,將該待處理之物件的表面加熱至第二溫度;其中,該第二溫度比該第一溫度高至少30℃。
2.如申請專利範圍第1項之物件表面的處理方法,其中,該物件為一半導體晶圓,且該待處理之表面包含光阻,該光阻含有在先前處理階段期間所植入的離子。
3.如申請專利範圍第2項之物件表面的處理方法,其中,將該半導體晶圓安置在一單一晶圓溼式處理站中的一旋轉夾頭上。
4.如申請專利範圍第1項之物件表面的處理方法,其中,該無機酸為至少90質量%濃度的硫酸水溶液或純硫酸(發煙硫酸)。
5.如申請專利範圍第1項之物件表面的處理方法,其中,該液體混合物具有在約3℃至小於20℃之範圍內的溫度。
6.如申請專利範圍第1項之物件表面的處理方法,更包含在將該無機酸供給到該待處理之物件的表面上之前,將該無機酸與臭氧混合。
7.如申請專利範圍第1項之物件表面的處理方法,其中,該待處理之物件係存在於一含有氣態臭氧的處理腔室內,且該無機酸與臭氧係藉由使該臭氧擴散穿過在該待處理之物件的表面上所形成的一無機酸層而結合。
8.如申請專利範圍第1項之物件表面的處理方法,更包含在供給該液體混合物期間或之後,將該待處理之物件的表面加熱至超過50℃的溫度。
9.如申請專利範圍第9項之物件表面的處理方法,其中將該表面加熱至超過100℃的溫度。
10.一種物件表面的處理設備,用以處理一物件之表面,包含:一腔室,用以容納一待處理之物件;一供給器,用以將一處理液體供給到該物件上;一槽,用以儲存一無機酸;一臭氧產生器,與該腔室或與進入或離開該槽的一酸供應管線連通;及一加熱器,用以將該待處理之物件的表面快速加熱至比該無機酸在施加至該物件時之溫度高至少30℃的溫度。
11.如申請專利範圍第10項之物件表面的處理設備,其中,該加熱器為一紅外線加熱器,該紅外線加熱器配置在該腔室內部且用以將配置在該腔室內之一待處理的物件加熱至超過50℃的溫度。
12.如申請專利範圍第10項之物件表面的處理設備,其中,該設備為一單一晶圓溼式處理站,該處理站包含:一旋轉夾頭,用以固持一半導體晶圓;以及一噴嘴,相對於該旋轉夾頭而定位,俾能將該處理液體朝下供給到該半導體晶圓的一面朝上之表面上。
13.如申請專利範圍第10項之物件表面的處理設備,其中,該加熱器為一紅外線加熱器,該紅外線加熱器係配置鄰接於該腔室,並藉由一透明材料片而與該腔室的內部隔開。
14.如申請專利範圍第10項之物件表面的處理設備,其中,該加熱器為一紅外線加熱器,該紅外線加熱器包含複數同心之紅外線加熱元件,該加熱元件可被個別調整,俾能確保該物件之表面的均一加熱。
15.如申請專利範圍第13項之物件表面的處理設備,其中,該透明材料片係凹入該夾頭內,並且與該待處理之物件隔開一小於10 mm的間隔。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統