電晶體 TRANSISTOR
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 電晶體
公告號 I517408
公告日 2016/01/11
證書號 I517408
申請號 2010/10/27
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2009-251060 20091030
參考文獻 CN101258607A; EP0020929A1; JPS63-296378A; US2002/0155664A1
審查人員 周楷智

專利摘要

本發明提供一種薄膜電晶體,該薄膜電晶體是操作速度快,在導通時能夠流過大量電流,在截止時截止狀態電流急遽減少的電晶體。本發明為一種垂直型薄膜電晶體,其中,使用氧化物半導體膜以形成通道形成區,而在該氧化物半導體膜中,去除氧化物半導體所含有的氫或OH基而使得氧化物半導體中所含有的氫之濃度為低於或等於5×1019/cm3,較佳為低於或等於5×1018/cm3,更佳為低於或等於5×1017/cm3,且載子濃度為低於或等於5×1014/cm3,較佳為低於或等於5×1012/cm3。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:基板;該基板上的第一絕緣膜;該第一絕緣膜上的第一電極;該第一電極上的氧化物半導體膜;該氧化物半導體膜上的第二電極;覆蓋該第一電極、該氧化物半導體膜及該第二電極的閘極絕緣膜;以及隔著該閘極絕緣膜而與該氧化物半導體膜的側表面相鄰的第三電極,該第三電極與該閘極絕緣膜相接觸,其中,該氧化物半導體膜的氫濃度為低於或等於5×10 19 /cm 3 。 2.一種半導體裝置,包括:基板;該基板上的第一絕緣膜;該第一絕緣膜上的第一電極;該第一電極上的氧化物半導體膜;該氧化物半導體膜上的第二電極;覆蓋該第一電極、該氧化物半導體膜及該第二電極的閘極絕緣膜;以及隔著該閘極絕緣膜而與該氧化物半導體膜的側表面相鄰的多個第三電極,該多個第三電極與該閘極絕緣膜相接觸,其中,該氧化物半導體膜的氫濃度為低於或等於5×10 19 /cm 3 。 3.一種半導體裝置,包括:基板;該基板上的第一絕緣膜;該第一絕緣膜上的多個第一電極;該多個第一電極上的氧化物半導體膜;該氧化物半導體膜上的第二電極;覆蓋該多個第一電極、該氧化物半導體膜及該第二電極的閘極絕緣膜;以及隔著該閘極絕緣膜而與該氧化物半導體膜的側表面相鄰的多個第三電極,該多個第三電極與該閘極絕緣膜相接觸,其中,該氧化物半導體膜的氫濃度為低於或等於5×10 19 /cm 3 。 4.如申請專利範圍第1項的半導體裝置,還包括在該第三電極上的第二絕緣膜。 5.如申請專利範圍第2或3項的半導體裝置,還包括在該多個第三電極上的第二絕緣膜。 6.如申請專利範圍第4項的半導體裝置,其中,該第二絕緣膜具有疊層結構。 7.如申請專利範圍第5項的半導體裝置,其中,該第二絕緣膜具有疊層結構。 8.如申請專利範圍第1至3項中任一項的半導體裝置,其中,該第一絕緣膜具有疊層結構。 9.如申請專利範圍第1至3項中任一項的半導體裝置,其中,該閘極絕緣膜包括氮化矽。 10.如申請專利範圍第1項的半導體裝置,其中,將該第一電極用作為源極電極和汲極電極的其中一者,其中,將該第二電極用作為該源極電極和該汲極電極中的另一者,且其中,將該第三電極用作為閘極電極。 11.如申請專利範圍第2項的半導體裝置,其中,將該第一電極用作為源極電極和汲極電極的其中一者,其中,將該第二電極用作為該源極電極和該汲極電極中的另一者,且其中,將該多個第三電極用作為閘極電極。 12.如申請專利範


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
I529134 薄膜電晶體之半導體層用氧化物的製造方法、薄膜電晶體及顯示裝置 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR
I529468 製造薄膜電晶體之方法,利用該方法製造之薄膜電晶體、製造有機發光顯示裝置之方法、以及利用該方法製造之有機發光顯示裝置 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR
I529469 具有薄膜電晶體之穿透反射型液晶顯示裝置及其之製造方法 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR
I529791 用於製造鰭式場效電晶體裝置之化學機械平坦化方法 國際商業機械公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US; JSR股份有限公司 JSR CORPORATION 日本 JP
I529809 具有側壁限定之內部基極至外部基極聯絡區域的電晶體結構與形成該結構的方法 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US
I529810 製造對於源極-汲極金屬蝕刻使用濕式製程之金屬氧化物或金屬氮氧化物薄膜電晶體之方法 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US
I529813 薄膜電晶體及液晶顯示裝置的製造方法 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I529815 具有自電晶體長度去耦合之閘極矽長度的接觸幾何結構 格羅方德半導體公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. 美國 US
I529924 將電晶體晶圓接合至發光二極體晶圓以形成主動發光二極體模組 尼斯迪格瑞科技環球公司 NTHDEGREE TECHNOLOGIES WORLDWIDE INC. 美國 US
I529935 功率絕緣閘極場效電晶體 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I529943 溝槽式功率金氧半場效電晶體與其製造方法 帥群微電子股份有限公司 SUPER GROUP SEMICONDUCTOR CO., LTD. 新北市汐止區工建路366號6樓 TW
I529944 高介電金屬閘極技術中用於無嵌入式矽鍺之改進的矽化物形成而自P型場效電晶體源極汲極區之通道矽鍺的移除 格羅方德半導體公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. 美國 US
I529950 薄膜電晶體 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I528424 於金氧半場效電晶體形成遮蔽閘之方法 台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC, INC. 新竹市新竹科學工業園區研新一路1號 TW
I528460 具有鰭狀結構之場效電晶體的製作方法 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
I528462 調整低溫多晶矽電晶體閥值電壓的方法 上海和輝光電有限公司 SHANGHAI HEHUI OPTOELECTRONICS LIMITED 中國大陸 CN
I528463 藉由提供對於基板表面具有適宜角度之階化嵌入應變誘導半導體區於電晶體中之效能增進 格羅方德半導體公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. 美國 US
I528464 低溫多晶矽薄膜電晶體製造方法 上海和輝光電有限公司 EVERDISPLAY OPTRONICS (SHANGHAI) LIMITED 中國大陸 CN
I528531 電晶體系記憶體單元及相關之操作方法 格羅方德半導體公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. 美國 US
I528541 有機薄膜電晶體及其製造方法 住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED 日本 JP

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統