乾式蝕刻方法
申請人· 陳炳宏 臺南市善化區建國路19之23號 TW; 池育維 臺南市善化區建國路19之23號 TW


專利信息

專利名稱 乾式蝕刻方法
公告號 201337051
公告日
證書號
申請號 2012/03/06
國際專利分類號
公報卷期 11-18
發明人 陳炳宏
申請人 陳炳宏 臺南市善化區建國路19之23號 TW; 池育維 臺南市善化區建國路19之23號 TW
代理人 林火泉
優先權
參考文獻
審查人員

專利摘要

乾式蝕刻方法簡圖

本發明係揭露一種乾式蝕刻方法,首先,提供一藍寶石基板,其表面已設有一光阻層。接著,利用含氫離子或碳氫化合物CxHy之蝕刻氣體,對藍寶石基板與光阻層進行蝕刻,以於基板之表面形成一蝕刻圖案,其中x及y為自然數。由於氫離子或碳氫化合物CxHy可增強光阻層之抗蝕刻能力,因此在製程中,可以良好地控制蝕刻圖案之輪廓,以達到所需要的圖形高度。


專利範圍

1.一種乾式蝕刻方法,包括下列步驟:提供一藍寶石基板,其表面已設有一光阻層;以及利用含氫離子或碳氫化合物CxHy之蝕刻氣體,對該藍寶石基板與該光阻層進行蝕刻,以於該表面形成一蝕刻圖案,其中x及y為自然數。
2.如請求項1所述之乾式蝕刻方法,其中該蝕刻氣體更包含三氯化硼。
3.如請求項1所述之乾式蝕刻方法,其中該碳氫化合物CxHy為甲烷。
4.如請求項1所述之乾式蝕刻方法,其中該蝕刻氣體含由該氫離子構成之氫氣
5.如請求項1所述之乾式蝕刻方法,其中該蝕刻圖案係供一高亮度發光二極體(HB-LED)設於其上。
6.如請求項1所述之乾式蝕刻方法,其中在利用該蝕刻氣體對該藍寶石基板與該光阻層進行蝕刻之步驟中,該蝕刻氣體包含作為該碳氫化合物CxHy之甲烷與三氯化硼,該甲烷之流量為5立方公分/分鐘(cm 3 /min),該三氯化硼之流量為40cm 3 /min,且蝕刻時間為1500秒。
7.如請求項1所述之乾式蝕刻方法,其中在利用該蝕刻氣體對該藍寶石基板與該光阻層進行蝕刻之步驟中,該蝕刻氣體包含作為該碳氫化合物CxHy之甲烷與三氯化硼,該甲烷之流量為5立方公分/分鐘(cm 3 /min),該三氯化硼之流量為30cm 3 /min,且蝕刻時間為1800秒。
8.如請求項1所述之乾式蝕刻方法,其中在利用該蝕刻氣體對該藍寶石基板與該光阻層進行蝕刻之步驟中,該蝕刻氣體包含作為該碳氫化合物CxHy之甲烷與三氯化硼,該甲烷之流量為10立方公分/分鐘(cm 3 /min),該三氯化硼之流量為40cm 3 /min,且蝕刻時間為1900秒。
9.如請求項1所述之乾式蝕刻方法,其中該蝕刻圖案包含複數個圓錐體。
10.如請求項9所述之乾式蝕刻方法,其中該圓錐體之底寬與高度分別為2.63微米(um)與1.47微米。
11.如請求項9所述之乾式蝕刻方法,其中該圓錐體之底寬與高度分別為2.66微米與1.63微米。
12.如請求項9所述之乾式蝕刻方法,其中該圓錐體之底寬與高度分別為2.59微米與1.99微米。
13.如請求項9所述之乾式蝕刻方法,其中該圓錐體之底寬與高度分別為2.59微米與1.99微米。
14.如請求項9所述之乾式蝕刻方法,其中該圓錐體之底寬與高度分別為2.70微米與2.16微米。
15.如請求項1所述之乾式蝕刻方法,其中該光阻層之材質為高分子有機物。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統