半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體裝置
公告號 I517366
公告日 2016/01/11
證書號 I517366
申請號 2010/10/25
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI; 小山潤 KOYAMA, JUN; 加藤清 KATO, KIYOSHI
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2009-251275 20091030
參考文獻 TW200919477A; US2003/0168685A1; US2008/0291350A1
審查人員 修宇鋒

專利摘要

本發明的目的之一就是提供一種具有新的結構的半導體裝置。一種半導體裝置,其中串聯連接有多個記憶元件,多個記憶元件各自包括具有第一至第三閘極電極、第一至第三源極電極以及第一至第三汲極電極的第一至第三電晶體,第二電晶體包含氧化物半導體層,第一閘極電極與第二源極電極和第二汲極電極中的其中一者電連接,第一佈線、第一源極電極以及第三源極電極電連接,第二佈線、第一汲極電極以及第三汲極電極電連接,第三佈線與第二源極電極和第二汲極電極中的另一者電連接,第四佈線和第二閘極電極電連接,並且第五佈線和第三閘極電極電連接。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:第一佈線;第二佈線;第三佈線;第四佈線;以及第五佈線,其中,多個記憶元件係串聯連接在該第一佈線和該第二佈線之間,每個記憶元件包括:包含第一閘極電極、第一源極電極以及第一汲極電極的第一電晶體;包含第二閘極電極、第二源極電極以及第二汲極電極的第二電晶體;以及包含第三閘極電極、第三源極電極以及第三汲極電極的第三電晶體,其中,該第二電晶體包含氧化物半導體層,其中,該第一閘極電極與該第二源極電極和該第二汲極電極中的其中一者相互電連接,其中,該第一佈線、該第一源極電極以及該第三源極電極相互電連接,其中,該第二佈線、該第一汲極電極以及該第三汲極電極相互電連接,其中,該第三佈線與該第二源極電極和該第二汲極電極中的另一者相互電連接,其中,該第四佈線與該第二閘極電極相互電連接,並且,其中,該第五佈線與該第三閘極電極相互電連接。 2.一種半導體裝置,包括:第一絕緣層;在該第一絕緣層上的第二絕緣層;第一佈線;第二佈線;第三佈線;第四佈線;以及第五佈線,埋入在該第二絕緣層中的嵌入的導電層,該嵌入的導電層及該第二絕緣層具有相同的厚度,並且該嵌入的導電層的下表面與該第二絕緣層的下表面重合;在該第二絕緣層及該嵌入的導電層上的第三絕緣層;其中,多個記憶元件係串聯連接在該第一佈線和該第二佈線之間,每個記憶元件包括:包含第一閘極電極、第一源極電極以及第一汲極電極的第一電晶體;包含第二閘極電極、第二源極電極以及第二汲極電極的第二電晶體;以及包含第三閘極電極、第三源極電極以及第三汲極電極的第三電晶體,其中,該第二電晶體包含氧化物半導體層,其中,該第一閘極電極與該第二源極電極和該第二汲極電極中的其中一者相互電連接,其中,該第一佈線、該第一源極電極以及該第三源極電極相互電連接,其中,該第二佈線、該第一汲極電極以及該第三汲極電極相互電連接,其中,該第三佈線與該第二源極電極和該第二汲極電極中的另一者相互電連接,其中,該第四佈線與該第二閘極電極相互電連接,其中,該第五佈線與該第三閘極電極相互電連接,其中,該第一絕緣層係形成在該第一閘極電極上,其中,該第二閘極電極係由該嵌入的導電層的其中一者所形成,並且其中,該第三絕緣層形成該第二電晶體的閘極絕緣層。 3.根據申請專利範圍第1或2項之半導體裝置,還包括:第六佈線;第七佈線;具有第四閘極電極電連接於該第六佈線的第四電晶體;以及具有第五閘極電極電連


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統