於高密度電漿半導體處理中使用之受冷卻之沈積擋板 COOLED DEPOSITION BAFFLE IN HIGH DENSITY PLASMA SEMICONDUCTOR PROCESSING
申請人· 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本


專利信息

專利名稱 於高密度電漿半導體處理中使用之受冷卻之沈積擋板
公告號 I305549
公告日 2009/01/21
證書號 I305549
申請號 2003/12/31
國際專利分類號
公報卷期 36-03
發明人 約瑟夫 柏卡 BRCKA, JOZEF;馬克 克雷夏科 KLESHOCK, MARK;提姆 普文其 PROVENCHER, TIM
申請人 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本
代理人 周良謀;周良吉
優先權 美國 10/338,771 20030108
參考文獻 TW589668; EP0908922 A1; US4431901; US6287435 B1; US6494998 B1
審查人員

專利摘要

一種使用於高密度電漿設備之改良之沈積擋板,用於將介電質窗口與導電沈積物隔離。該擋板具有一中心圓形部,於內設有被導電橋中斷之複數開槽。位於主體內開槽間之肋部設有挖掘於其內之冷卻流區段,其係藉由該擋板之圓周邊界環形部內之互連通道部串聯連接以在該擋板之環形部圓周邊界部分內形成從一入口至一出口之連續彎曲冷卻流路徑。


專利範圍

1.一種沈積擋板,用於保護位於電漿處理室之牆上之介電窗口,同時促進從窗口外之線圈經由窗口及擋板進入處理室內之電漿處理空間之電漿之RF能量之電感耦合,包含: 一導電主體,具有一窗口側及一電漿側,該主體設有於兩側間在其上擴展之複數開槽; 該主體在每一對相鄰之開槽間設有一肋部;該開槽設有由主體之表面所定出之複數牆且被設定成阻斷處理室中之粒子經由該主體從主體之電漿側移動至主體之窗口側之瞄準線路徑之組態; 該複數開槽每一設有只有在主體之窗口側上固定至主體之結構元件;及 該元件設有分佈在擋板上之連接至該主體之連接部,以在不限制經由該擋板之電感耦合之效能之下改進經由擋板耦合至電漿之能量分佈之均勻性。 2.如申請專利範圍第1項之沈積擋板,其中該開槽設有沿著開槽之長度視之時為鋸齒形之截面。 3.如申請專利範圍第1項之沈積擋板,其中該元件係導電橋部,其電連接開槽之相異側之牆以中斷該主體之窗口側上之開槽。 4.如申請專利範圍第1項之沈積擋板,其中該主體之內設有一冷卻流入口、一冷卻流出口及至少一個形成從入口至出口之冷卻流路徑之冷卻流通道,該通道沿著至少一個肋部在該主體內伸展。 5.如申請專利範圍第1項之沈積擋板,其中該主體之內設有一冷卻流入口、一冷卻流出口及至少一個形成從入口至出口之冷卻流路徑之冷卻流通道,該通道沿著每一個肋部在該主體內伸展。 6.如申請專利範圍第1項之沈積擋板,其中該主體之內設有一冷卻流入口、一冷卻流出口及至少一個形成從入口至出口之冷卻流路徑之冷卻流通道,該通道依序沿著複數肋部在該主體內伸展。 7.如申請專利範圍第6項之沈積擋板,其中該開槽包含複數通常為平行之開槽,垂直於穿過該主體之中心之直徑而伸展;且 該元件係導電橋部,其電連接每一開槽之相異側之牆以中斷該開槽使得該開槽無一為在該直徑之兩側上橫跨該擋板之單一連續開槽。 8.如申請專利範圍第7項之沈積擋板,其中至少該通道之一部分沿著每一對相鄰開槽間之肋部伸展,每一該通道之該部分形成一連續之從入口至出口之冷卻流路徑。 9.一種電漿源,用於電感耦合RF能源至一位於電漿處理室內之電漿處理空間,包含: 一介電窗口,位於該電漿處理室之一牆上; 一RF天線,位於該窗口之外,連接至一RF能量源; 該申請專利範圍第1項之沈積擋板,緊臨於處理室內之窗口,位於該窗口與該處理空間之間,該窗口側面對該介電窗口且該電漿側面對該電漿處理空間。 10.


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統