半導體裝置及其形成方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS OF FORMING THE SAME
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置及其形成方法
公告號 I517369
公告日 2016/01/11
證書號 I517369
申請號 2013/06/05
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 曾曉暉 TSENG, HSIAO HUI; 劉人誠 LIU, JEN CHENG; 楊敦年 YAUNG, DUN NIAN; 許慈軒 HSU, TZU HSUAN
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 61/663,378 20120622 美國 13/601,033 20120831
參考文獻 US6350127B1; US6924167B1; US7102184B2; US7388187B1; US2005/0082629A1; US2008/0157144A1
審查人員 陳建丞

專利摘要

本發明揭露一種半導體裝置,包含:第一隔離區與一第二隔離區,被基底支持;第一陣列井區,被第一隔離區支持,第一陣列井區具有嵌於其內的第一場佈植層,第一場佈植層圍繞第一淺溝槽隔離區;第二陣列井區,被第二隔離區支持,第二陣列井區支持摻雜區與汲極並具有嵌於其內的第二場佈植層,第二場佈植層圍繞第二淺溝槽隔離區;光學二極體堆疊體,置於第一隔離區與第二隔離區之間的基底中;以及閘氧化物,形成於光學二極體堆疊體的最上端的光學二極體的上方,閘氧化物與最上端的光學二極體的矽形成界面,在界面的氮濃度與峰值氮濃度偏離。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包含:一第一隔離區與一第二隔離區,被一基底支持;一第一陣列井區(array well),被該第一隔離區支持,該第一陣列井區具有嵌於其內的一第一場佈植(field implant)層,該第一場佈植層圍繞一第一淺溝槽隔離區;一第二陣列井區,被該第二隔離區支持,該第二陣列井區支持一摻雜區與一汲極並具有嵌於其內的一第二場佈植層,該第二場佈植層圍繞一第二淺溝槽隔離區;複數個光學二極體構成的一光學二極體堆疊體,置於該第一隔離區與該第二隔離區之間的該基底中;以及一閘氧化物,形成於該光學二極體堆疊體的一最上端的光學二極體的上方,該閘氧化物與該最上端的光學二極體的矽形成一界面,其中該閘氧化物具有一氮原子濃度,該氮原子濃度是從該界面持續上升至在該閘氧化物內的一峰值氮原子濃度、從該閘氧化物內的該峰值氮原子濃度到該閘氧化物之位於該界面上方的一表面則為持續下降;以及在該界面的該氮原子濃度大於零。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該峰值氮原子濃度是在偏離該閘氧化物之該表面的小於1奈米處。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,更包含:一轉換電晶體(transfer transistor),形成於該閘氧化物的一中央部的上方;一複晶矽層,形成於該轉換電晶體的上方;一側壁氧化物,形成於該轉換電晶體的範圍以外的該閘氧化物的上方;一遠隔電漿氧化物(remote plasma oxide)是形成於該側壁氧化物的上方;以及一接觸蝕刻停止層是形成於該遠隔電漿氧化物與該複晶矽層的上方。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該光學二極體堆疊體包含至少四個垂直堆疊的光學二極體。 5.一種半導體裝置,包含:一第一隔離區與一第二隔離區,被一基底支持;一第一陣列p型井區,被該第一隔離區支持,該第一陣列p型井區具有嵌於其內的一第一p型場佈植層,該第一p型場佈植層圍繞一第一淺溝槽隔離區;一第二陣列p型井區,被該第二隔離區支持,該第二陣列p型井區支持一n型摻雜區與一畫素n型淡摻雜汲極並具有嵌於其內的一第二p型場佈植層,該第二p型場佈植層圍繞一第二淺溝槽隔離區;複數個光學二極體構成的一光學二極體堆疊體,置於該第一隔離區與該第二隔離區之間的該基底中;一閘氧化物,形成於該光學二極體堆疊體的一最上端的光學二極體的上方,該閘氧化物與該最上端的光學二極體的矽形成一第一界面;以及一轉換閘極,形


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統