半導體裝置及其製作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING OF THE SAME
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置及其製作方法
公告號 I517375
公告日 2016/01/11
證書號 I517375
申請號 2013/05/24
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳思瑩 CHEN, SZU YING; 萬孟勳 WAN, MENG HSUN; 王子睿 WANG, TZU JUI; 楊敦年 YAUNG, DUN NIAN; 劉人誠 LIU, JEN CHENG
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 13/486,724 20120601
參考文獻 TW200824111A; WO2012/004965A1
審查人員 黃鼎富

專利摘要

一種半導體裝置,包括一第一晶片,其包括一影像感測器,及一第二晶片,其接合至第一晶片。第二晶片包括一邏輯裝置,其選自由重置電晶體、選擇器、列選擇器、或前述之組合所組成之族群。邏輯裝置及影像感測器彼此電性耦接且為同一像素單元的一部分。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:一第一晶片,其內包括:一影像感測器;一轉換閘極電晶體,其中該轉換閘極電晶體電性耦接至該影像感測器;一浮置擴散電容,其中該浮置擴散電容電性耦接至該轉換閘極電晶體之源/汲極,其中該影像感測元件、該轉換閘極電晶體及該浮置擴散電容為同一像素單元的一部分;以及兩個金屬墊,位於該第一晶片的一表面上,且該轉換閘極電晶體及該浮置擴散電容各個電性耦接至上述兩個金屬墊;一第二晶片,其接合至該第一晶片,其中該第二晶片包括一邏輯裝置,其選自由重置電晶體、選擇器、列選擇器、或前述之組合所組成之族群;以及兩個額外的金屬墊,位於該第二晶片的一表面上且各個接合至上述兩個金屬墊,其中該邏輯裝置及該影像感測器彼此電性耦接且為該像素單元的一部分。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,更包括:一第一半導體基板,位於該第一晶片中;一第一內連接結構,位於該第一晶片中,其中該第一內連接結構包括複數金屬層,其位於該第一半導體基板之前側上;一第二半導體基板,位於該第二晶片中;一第二內連接結構,位於該第二晶片中,其中該第二內連接結構包括複數金屬層,其位於該第二半導體基板之前側上,且其中上述兩個金屬墊及上述兩個額外金屬墊位於該第一內連接結構及該第二內連接結構之間。 3.一種半導體裝置,包括:一第一晶片,包括:一感測器陣列,包括複數影像感測器;複數轉換閘極電晶體,其中該等轉換閘極電晶體各個電性耦接至該等影像感測器其中之一;複數浮置擴散電容,其中該等浮置擴散電容電性耦接至該等轉換閘極電晶體其中之一的源/汲極,且該等影像感測器、該等轉換閘極電晶體及該等浮置擴散電容形成複數像素單元中對應之像素單元的一部分;一第一複數金屬墊,設置於該第一晶片之前側表面,其中該第一複數金屬墊電性耦接至該等浮置擴散電容及該等轉換閘極電晶體;以及一第二晶片,接合至該第一晶片,其中該第二晶片包括:複數重置電晶體、複數源極隨耦器、以及複數列選擇器電性耦接至該等影像感測器及該等轉換閘極電晶體,以形成一像素單元陣列,其包括該等像素單元;以及一第二複數金屬墊,設置於該第二晶片之前側表面,其中該第二複數金屬墊電性耦接至該等重置電晶體、該等源極隨耦器、以及該等列選擇器,且該第二複數金屬墊各個接合至該第一複數金屬墊其中之一。 4.如申請專利範圍第3項所述之半導體裝置,其中該等轉換閘極電晶體之閘極被配置以接收來自該第二晶片的控制信號。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統