金屬導線結構以及溝槽製造方法 METAL LINE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR TRENCH
申請人· 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW


專利信息

專利名稱 金屬導線結構以及溝槽製造方法
公告號 I517337
公告日 2016/01/11
證書號 I517337
申請號 2011/02/24
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳信琦 CHEN, HSIN CHI; 廖俊雄 LIAO, JIUNN HSIUNG; 賴育聰 LAI, YU TSUNG
申請人 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
代理人 郭曉文
優先權
參考文獻 US7781327B1; US2008/0026568A1; US2008/0171433A1; WO2008/115600A1
審查人員 郭子鳳

專利摘要

本發明涉及金屬導線結構以及溝槽製造方法,其中金屬導線結構包含基板、目標層、溝槽以及導線。目標層位於基板上方;溝槽形成於目標層中,溝槽底部具有微溝槽且微溝槽之深度不大於50埃;導線鑲嵌於溝槽中。


專利範圍

1.一種金屬導線結構,其包含:一基板;一目標層,由單一構造構成,位於該基板上方;一溝槽,形成於該目標層中,該溝槽底部具有一微溝槽,該微溝槽之深度不大於50埃,其中該微溝槽係位於該目標層的中間;以及一導線,鑲嵌於該溝槽中。 2.如申請專利範圍第1項所述之金屬導線結構,其中該基板係為一矽基板,該目標層係為一超低介電常數材料(ULK)。 3.如申請專利範圍第1項所述之金屬導線結構,其中該導線係為一閘極電極,該閘極電極係由多晶矽或金屬完成。 4.如申請專利範圍第1項所述之金屬導線結構,其中該導線係為一內連線,該內連線係為一銅線。 5.如申請專利範圍第1項所述之金屬導線結構,其中該微溝槽係位於一第一光罩與一第二光罩所重疊定義之一區域。 6.如申請專利範圍第1項所述之金屬導線結構,其中該微溝槽係位於一第一光罩與一第二光罩所重疊定義且產生部份未對準之一區域。 7.如申請專利範圍第5項所述之金屬導線結構,其中該微溝槽上方之該導線係屬於一I型交接處、一T型交接處、一L型轉角處、一Π型交接處或S型轉角處。 8.一種溝槽製造方法,其包含下列步驟:提供一基板;於該基板上方依序形成一目標層與一多層罩幕層,該多層罩幕層至少包含一金屬罩幕層與一介電層;於該多層罩幕層上方形成一第一光阻結構層;使用一第一光罩對該第一光阻結構層進行定義而形成一第一開口;使用該第一開口對露出之該多層罩幕層進行蝕刻,用以除去該介電層而露出該金屬罩幕層後,再除去該第一光阻結構層;於該多層罩幕層上方形成一第二光阻結構層;使用一第二光罩對該第二光阻結構層進行定義而形成一第二開口,該第二開口與該第一開口之位置有部份重疊;使用該第二開口對露出之該多層罩幕層進行蝕刻以除去該介電層而露出該金屬罩幕層後,再除去該第二光阻結構層;使用剩餘之該介電層為罩幕對該金屬罩幕層進行蝕刻而形成一第三開口;以及使用該第三開口對露出之該目標層進行蝕刻而完成一溝槽。 9.如申請專利範圍第8項所述之溝槽製造方法,其中該基板係為一矽基板,該目標層係為一超低介電常數材料(ULK)。 10.如申請專利範圍第8項所述之溝槽製造方法,其中更包含下列步驟:於該溝槽中鑲嵌一導線。 11.如申請專利範圍第10項所述之溝槽製造方法,其中該導線係為一閘極電極,該閘極電極係由多晶矽或金屬完成。 12.如申請專利範圍第10項所述之溝槽製造方法,其中該導線係為一內連線,該內連線係為一


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