一種高功率發光二極體結構 A HIGH POWER LIGHT EMITTING DIODE
申請人· 億光電子工業股份有限公司 EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 臺北縣土城市中央路3段76巷25號


專利信息

專利名稱 一種高功率發光二極體結構
公告號 M327547
公告日 2008/02/21
證書號 M327547
申請號 2007/07/30
國際專利分類號
公報卷期 35-06
發明人 林俊誠 LIN, CHUNCHENG;張漢錡 CHANG, ABRAM;許勝佳 SHEU, SHENGJIA;黃彥翔 HUANG, EDDIE
申請人 億光電子工業股份有限公司 EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 臺北縣土城市中央路3段76巷25號
代理人 蔡坤財;李世章
優先權
參考文獻
審查人員

專利摘要

一種高功率發光二極體結構簡圖

一種高功率發光二極體,其包含發光晶粒、主體、兩第一電極引腳、第二電極引腳、以及至少一散熱片。其中主體中央具有一凹坑,而發光晶粒係設置於凹坑中。此外,兩第一電極引腳則連接於主體之一側,並與發光晶粒電性連接。至於兩第二電極引腳則相對於第一電極引腳,以一預設距離設置於主體之另一側。此外,兩第二電極引腳係分別與兩第一電極引腳兩兩相對,並且亦與發光晶粒電性連接。而散熱片則連接於第一電極引腳與第二電極引腳間之主體處。


專利範圍

1.一種高功率發光二極體,包含:
一發光晶粒;
一主體,該主體中央具有一凹坑,而該發光晶粒則固設於該凹坑中;
兩第一電極引腳,連接於該主體之一側,並與該發光晶粒電性連接;
兩第二電極引腳,係以一預設距離設置於該主體相對於該兩第一電極引腳之另一側,其中該兩第二引腳係與該兩第一電極引腳極性相反,並與該發光晶粒電性連接;以及
至少一散熱片,連接於該主體之一側,並位於該第一電極引腳與該第二電極引腳之間。
2.如申請專利範圍第1項所述之高功率發光二極體,其中該兩第一引腳係與該兩第二電極引腳兩兩相對。
3.如申請專利範圍第1項所述之高功率發光二極體,其中該散熱片係呈L型。
4.如申請專利範圍第1項所述之高功率發光二極體,其中該散熱片與該主體係一體成型。
5.如申請專利範圍第1項所述之高功率發光二極體,其中該散熱片之材質係為金屬。
6.如申請專利範圍第5項所述之高功率發光二極體,其中該金屬係選自由銀、鋁、銅或上述之任意組合所組成之一族群。
7.如申請專利範圍第1項所述之高功率發光二極體,更包含一固合膠體,該固合膠體係設置於該主體上,用以包覆該主體、部份該兩第一電極引腳以及部份該兩第二電極引腳。
8.如申請專利範圍第7項所述之高功率發光二極體,其中該固合膠體之材質為一透明樹脂。
圖式簡單說明:
第1圖係繪示本新型一實施例中,一種高功率發光二極體之立體圖。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統