發光元件 LIGHT-EMITTING ELEMENT
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 發光元件
公告號 I517472
公告日 2016/01/11
證書號 I517472
申請號 2012/03/28
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI; 瀨尾哲史 SEO, SATOSHI; 下垣智子 SHITAGAKI, SATOKO; 大澤信晴 OHSAWA, NOBUHARU; 井上英子 INOUE, HIDEKO; 門間裕史 KADOMA, HIROSHI; 尾阪晴惠 OSAKA, HARUE
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2011-074272 20110330
參考文獻 TW200932039; TW201107289; US2005/0106415A1; US2009/0322217A1
審查人員 何立瑋

專利摘要

本發明提供一種效率極高的發光元件,其效率為25%左右的。發光元件包括包含磷光客體、n型主體及p型主體的發光層,發光層夾在含n型主體的n型層與含p型主體的p型層之間,並且在發光層中n型主體和p型主體可以形成激基複合物。在實現1200cd/m2的亮度的低驅動電壓(2.6V)下發光元件顯示極高的發光效率(74.31m/W的功率效率,24.5%的外部量子效率,19.3%的能量效率)。


專利範圍

1.一種發光元件,其包括:第一電極;在該第一電極上的電洞傳輸層;在該電洞傳輸層上的第一層,該第一層包含具有電洞傳輸性的第一有機化合物;在該第一層上的發光層,該發光層包含磷光化合物、該第一有機化合物以及具有電子傳輸性的第二有機化合物;在該發光層上的第二層,該第二層包含該第二有機化合物;在該第二層上的電子注入層;及在該電子注入層上的第二電極,其中,選擇該第一有機化合物及該第二有機化合物,以便在其間形成激基複合物,及其中,該磷光化合物是有機金屬錯合物,該有機金屬錯合物之源自於三重態金屬至配體電荷轉移的轉移之吸收與該激基複合物的發光重疊。 2.根據申請專利範圍第1項之發光元件,其中,該磷光化合物包含銥。 3.根據申請專利範圍第1項之發光元件,其中,該第一有機化合物是芳香胺或咔唑衍生物。 4.根據申請專利範圍第1項之發光元件,其中,該第二有機化合物具有π電子缺乏型芳雜環。 5.根據申請專利範圍第4項之發光元件,其中,該π電子缺乏型芳雜環是具有其陰電性大於碳的元素作為環的構成元素的六元環。 6.根據申請專利範圍第4項之發光元件,其中,該π電子缺乏型芳雜環是苯並喹喔啉。 7.根據申請專利範圍第4項之發光元件,其還包括在該第二電極與該第二層之間的電子傳輸層。 8.根據申請專利範圍第1項之發光元件,其中,該第一層還包括該第二有機化合物,及其中,在該第一層中,在從該第一電極到該發光層的方向上該第二有機化合物的濃度變化。 9.根據申請專利範圍第1項之發光元件,其中,該第二層還包括該第一有機化合物,及其中,在該第二層中,在從該第二電極到該發光層的方向上該第一有機化合物的濃度變化。 10.根據申請專利範圍第1項之發光元件,其中,在該發光層中,在該第一層到該第二層的方向上該第一有機化合物的濃度及該第二有機化合物的濃度變化。 11.一種包括根據申請專利範圍第1項之發光元件的電子裝置。 12.一種包括根據申請專利範圍第1項之發光元件的照明設備。 13.一種發光元件,其包括:第一電極;包含第一有機化合物的第一層;包含第二有機化合物的第二層;夾在該第一層與第二層之間的發光層,該發光層包含磷光化合物、該第一有機化合物以及該第二有機化合物;及在該第二層上的第二電極,其中,選擇該第一有機化合物及該第二有機化合物,以便在其間形成激基複合物,及其中,該磷光化合物是有機金屬錯合物,該有機金屬錯合物之源自於三重態金


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統