一種影像感測元件以及其製作方法 IMAGE SENSOR AND METHOD OF FORMING THE SAME
申請人· 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號


專利信息

專利名稱 一種影像感測元件以及其製作方法
公告號 200742046
公告日
證書號
申請號 2006/04/19
國際專利分類號
公報卷期 05-21
發明人 施俊吉 SZE, JHY-JYI
申請人 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號
代理人 許鍾迪
優先權
參考文獻
審查人員

專利摘要

一種影像感測元件以及其製作方法簡圖

一種影像感測元件包含有半導體基底、感光區位於半導體基底中、閘極電極位於該感光區之一側之半導體基底上、圖案化介電層覆蓋該閘極電極以及該感光區,並曝露部分該閘極電極,以及側壁子,位於圖案化介電層上並圍繞閘極電極。


專利範圍

1.一種影像感測元件,包含有:一半導體基底;一感光區,位於該半導體基底中;一閘極電極,位於該感光區之一側之該半導體基底上;一圖案化介電層,覆蓋該閘極電極以及該感光區,並曝露部分該閘極電極;以及一側壁子,位於該圖案化介電層上並圍繞該閘極電極。
2.如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件,其中該圖案化介電層係包含一第一抗反射層和一緩衝層。
3.如申請專利範圍第2項所述之影像感測元件,其中該圖案化介電層係為一自行對準金屬矽化物阻擋層。
4.如申請專利範圍第3項所述之影像感測元件,其中該影像感測元件另包含一第二抗反射層於該圖案化介電層、該閘極電極和該半導體基底上方。
5.如申請專利範圍第4項所述之影像感測元件,其中該第一、二抗反射層之反射係數係介於氧化矽的反射係數和矽的反射係數之間。
6.如申請專利範圍第5項所述之影像感測元件,其中該第一、二抗反射層之材料係選自於氮化矽、氮氧化矽、氧化鈰、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋯、富矽氧化矽其中之一以及其組合。
7.如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件,其中該影像感測元件係為一互補式金氧半導體影像感測元件。
8.如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件,其中該感光區包含有一感光二極體。
9.一種影像感測元件製作方法,包含有:提供一半導體基底;於該半導體基底中形成一感光區;於該感光區之一側之該半導體基底上形成一間極電極;該半導體基底上形成一介電層,並覆蓋於該閘極電極以及該感光區表面;於該閘極電極周圍之該介電層上形成一側壁子;以及進行一汲極/源極離子佈植製程,以於該閘極電極相對於該感光區之另一側之該半導體基底中形成一摻雜區。
10.如申請專利範圍第9項所述之製作方法,其中該介電層係包含一第一抗反射層和一緩衝層。
11.如申請專利範圍第10項所述之製作方法,其中形成該側壁子之步驟更包含有:於該第一抗反射層之上形成一遮蔽層;以及去除部分該遮蔽層,以形成該側壁子位於該閘極電極周圍。
12.如申請專利範圍第11項所述之製作方法,其中該摻雜區形成後,又包含下列步驟:對該介電層進行一蝕刻製程,以形成一自行對準金屬矽化物阻擋層,位於該閘極電極上方和該感光區上方;進行一自行對準金屬矽化物製程,於未被該自行對準金屬矽化物阻擋層覆蓋之該閘極電極上方,以及該摻雜區上方形成複數個金屬矽化物;形成一第二抗反射層於該閘極電極、該自行對準金屬矽化物阻擋層和該半導體基底上;於該第二抗反射層上形成一內層介電層;以及於該內層介電層內進行一接觸孔蝕刻製程,以形成複數個接觸孔。
13.如申請專利範圍第12項所述之製作方法,其中該第二抗反射層係為一接觸孔蝕刻停止層。
14.如申請專利範圍第13項所述之製作方法,其中該第一、二抗反射層之反射係數係介於氧化矽的反射係數和矽的反射係數之間。
15.如申請專利範圍第14項所述之製作方法,其中該第一、二抗反射層之材料係選自於氮化矽、氮氧化矽、氧化鈰、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋯、富矽氧化矽其中之一以及其組合。
16.如申請專利範圍第9項所述之製作方法,其中該影像感測元件係為一互補式金氧半導體影像感測元件。
17.如申請專利範圍第9項所述之製作方法,其中該感光區係形成一感光二極體。
18.一種影像感測元件製作方法,包含有:提供一半導體基底;於該半導體基底中形成一感光區;於該感光區之一側之該半導體基底上形成一閘極電極;於該半導體基底上形成一第一抗反射層,並覆蓋於該閘極電極以及該感光區表面;於該閘極電極周圍之該第一抗反射層上形成一側壁子;進行一汲極/源極離子佈植製程,以於該閘極電極相對於該感光區之另一側之該半導體基底中形成一摻雜區;對該第一抗反射層進行一蝕刻製程,以形成一阻擋層位於部分該閘極電極上方和該感光區上方;進行一自行對準金屬矽化物製程,以於未覆蓋有該阻擋層之部分該閘極電極以及該摻雜區表面分別形成一金屬矽化物;以及於該半導體基底上形成一第二抗反射層,並覆蓋於該金屬矽化物、該側壁子以及該阻擋層表面。
19.如申請專利範圍第18項所述之製作方法,其中該第一抗反射層和該半導體基板之間更包含一緩衝層。
20.如申請專利範圍第18項所述之製作方法,其中該阻擋層係為一自行對準金屬矽化物阻擋層。
21.如申請專利範圍第18項所述之製作方法,其中形成該第二抗反射層後,又包含下列步驟:於該第二抗反射層上形成一內層介電層;以及於該內層介電層內進行一接觸孔蝕刻製程,以形成複數個接觸孔。
22.如申請專利範圍第21項所述之製作方法,其中該第一、二抗反射層之反射係數係介於氧化矽的反射係數和矽的反射係數之間。
23.如申請專利範圍第22項所述之製作方法,其中該第一、二抗反射層之材料係選自於氮化矽、氮氧化矽、氧化鈰、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋯、富矽氧化矽其中之一以及其組合。
24.如申請專利範圍第18項所述之製作方法,其中該影像感測元件係為一互補式金氧半導體影像感測元件。
25.如申請專利範圍第18項所述之製作方法,其中該感光區係形成有一感光二極體。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統