半導體封裝件及其製法 SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURE
申請人· 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 臺中市潭子區大豐路3段123號 TW


專利信息

專利名稱 半導體封裝件及其製法
公告號 I517341
公告日 2016/01/11
證書號 I517341
申請號 2013/05/10
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳彥亨 CHEN, YAN HENG; 林畯棠 LIN, CHUN TANG; 廖宴逸 LIAO, YAN YI; 劉鴻汶 LIU, HUNG WEN; 紀傑元 CHI, CHIEH YUAN; 許習彰 HSU, HSI CHANG
申請人 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 臺中市潭子區大豐路3段123號 TW
代理人 陳昭誠
優先權
參考文獻 TW200636948A; TW201216419A; CN102034775A; US8432022B1
審查人員 林昆賢

專利摘要

一種半導體封裝件之製法,係先於承載件形成開口,再形成複數導電跡線於該承載件上與開口中,接著將半導體元件設於該開口中,使該半導體元件電性連接該導電跡線,之後形成線路重佈結構於該承載件與該開口上以電性連接該半導體元件。藉由將半導體元件嵌埋於該承載件之開口中,以令該半導體元件定位於該開口中,故於製作線路重佈結構前不需進行模壓製程,因而能避免該半導體元件產生偏移。本發明復提供該半導體封裝件。


專利範圍

1.一種半導體封裝件,係包括:承載件,係具有相對之第一表面與第二表面,且形成有連通至該第一表面並具有底部之開口;複數導電跡線,係形成於該開口之底部、該開口之側壁與該承載件之第一表面上;第一半導體元件,係設於該開口中,該第一半導體元件具有相對之第一主動面與第一非主動面,該主動面上具有複數第一電極墊,且該第一主動面係朝向該開口之底部,以令該些第一電極墊電性連接該導電跡線;第二半導體元件,係設於該第一半導體元件上,該第二半導體元件具有相對之第二主動面與第二非主動面,該第二主動面上具有複數第二電極墊,且該第二非主動面係結合至該第一半導體元件之第一非主動面上,以令該第二主動面及第二電極墊外露於該開口;以及線路重佈結構,係形成於該承載件之第一表面與該第二半導體元件之第二主動面上,而藉該線路重佈結構電性連接該導電跡線及該第二主動面上之第二電極墊。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中,該承載件係為半導體基板或玻璃基板。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中,該開口具有連通之第一容置空間與第二容置空間,該第一容置空間係由該底部及與該底部鄰接的開口之側壁所構成,以收納該第一半導體元件。 4.如申請專利範圍第3項所述之半導體封裝件,其中,該第一容置空間之容積係小於或等於該第二容置空間之容積。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中,該開口之側壁係呈階梯狀。 6.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中,該第一半導體元件之寬度係小於或等於該第二半導體元件之寬度。 7.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中,該承載件復具有導電孔部,係由該承載件之第二表面延伸至該開口之底部,以令該導電孔部電性連接該第一半導體元件。 8.如申請專利範圍第7項所述之半導體封裝件,其中,該導電孔部電性連接該第一電極墊。 9.如申請專利範圍第7項所述之半導體封裝件,其中,該第一半導體元件係以導電元件電性連接該導電孔部。 10.如申請專利範圍第7項所述之半導體封裝件,復包括電子元件,係結合於該承載件之第二表面上且電性連接該導電孔部。 11.一種半導體封裝件之製法,係包括:提供一具有相對之第一表面與第二表面之承載件;形成連通至該承載件之第一表面之開口,該開口具有底部;形成複數導電跡線於該承載件之第一表面、該開口之底部與該開口之側壁上;設置第一半導體元件於該開口中,該第一半導體


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統