背面塊狀矽微機電的設備 AN APPARATUS OF BACKSIDE BULK SILICON MEMS
申請人· 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US


專利信息

專利名稱 背面塊狀矽微機電的設備
公告號 I517339
公告日 2016/01/11
證書號 I517339
申請號 2012/12/24
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 巴斯卡蘭 瑞嘉敘利 BASKARAN, RAJASHREE; 佩爾圖 克里斯多夫 PELTO, CHRISTOPHER M.
申請人 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US
代理人 林志剛
優先權 世界智慧財產權組織 PCT/US11/67523 20111228
參考文獻 US2008/0128901A1; US2011/0127620A1; US2011/0291167A1
審查人員 陳建丞

專利摘要

一積體電路裝置,包括單一半導體基板;裝置層,形成在該單一半導體基板的前面上;再分配層,形成在該單一半導體基板之背面上;穿透矽通孔(TSV),形成在被電耦接至該裝置層及該再分配層之單一半導體基板內;邏輯記憶體介面(LMI),形成在被電耦接至該再分配層的單一半導體基板之背面上;及MEMS裝置,形成在被電耦接至該再分配層的單一半導體基板之背面上。


專利範圍

1.一種背面塊狀矽微機電的設備,包括:單一半導體基板,具有前面及背面;穿透矽通孔(TSV),形成在該半導體基板內,其由該基板的前面延伸至該基板之背面;及微機電(MEMS)裝置,被形成在該基板之背面上;及在該半導體基板的背面上所製成之邏輯記憶體介面(LMI)連接部。 2.如申請專利範圍第1項之設備,另包括一在該半導體基板的前面上所製成之裝置層。 3.如申請專利範圍第2項之設備,其中該裝置層包括電晶體及金屬互連部,且其中該TSV之第一端部被耦接至該電晶體及該金屬互連部之至少一者。 4.如申請專利範圍第1項之設備,另包括一再分配層。 5.如申請專利範圍第1項之設備,其中該LMI連接部被電耦接合至該TSV。 6.如申請專利範圍第4項之設備,其中該LMI連接部係經由該再分配層電耦接至該TSV。 7.如申請專利範圍第1項之設備,其中該MEMS裝置包括一可移動懸臂、被形成在該可移動懸臂上之第一組平行金屬板、及被固定至該半導體基板的第二組平行金屬板。 8.如申請專利範圍第3項之設備,其中該MEMS裝置被電耦接至該TSV之第二端部。 9.如申請專利範圍第1項之設備,其中該MEMS裝置包括感測器、微感測器、共振器、作動器、微作動器、或轉換器。 10.一種背面塊狀矽微機電的設備,包括:單一半導體基板;裝置層,形成在該單一半導體基板的前面上;再分配層,形成在該單一半導體基板之背面上;穿透矽通孔(TSV),形成在被電耦接至該裝置層及該再分配層之單一半導體基板內;邏輯記憶體介面(LMI),形成在被電耦接至該再分配層的單一半導體基板之背面上;及MEMS裝置,形成在被電耦接至該再分配層的單一半導體基板之背面上。 11.如申請專利範圍第10項之設備,其中該再分配層將該TSV耦接至該LMI。 12.如申請專利範圍第10項之設備,其中該再分配層將該TSV耦接至該MEMS裝置。 13.如申請專利範圍第10項之設備,另包括一密封LMI,其圍繞該MEMS裝置之周邊。 14.如申請專利範圍第13項之設備,其中該密封LMI包括銲接環。 15.一種背面塊狀矽微機電的設備,包括:第一基板,具有前面及背面;裝置層,被製成在該第一基板的前面上;再分配層,被製成在該第一基板之背面上;穿透矽通孔(TSV),被形成穿過該第一基板,其中該TSV之第一端部係耦接至該裝置層的至少一電晶體或至少一金屬互連部,且該TSV之第二端部被電耦


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統